Вероятность - излучательная рекомбинация
Cтраница 1
Вероятность излучательной рекомбинации зависит от структуры энергетических зон полупроводника. Наибольшую вероятность излучательной рекомбинации имеют полупроводники с прямыми переходами, такие как GaAs, в то время как у полупроводников с непрямыми переходами эта вероятность мала. Поскольку при Оже-рекомбинации передача энергии осуществляется путем кулоновского взаимодействия между электронами или дырками, то этот процесс приобретает значимость при высокой концентрации носителей. [1]
Поэтому вероятность излучательной рекомбинации в центральной области, где концентрация атомов бора еще достаточно высока, растет быстрее стоком, и начиная с какого-то момента, она начинает преобладать. Поскольку в центральной области плотность носителей меняется линейно с током ( см. таблицу), то по такому же закону должна изменяться интенсивность примесной электролюминесценции. [2]
 |
Зависимость / 77 f, ( / для диодов с WlLp 3. [3] |
Поэтому вероятность излучательной рекомбинации в центральной области, где концентрация атомов бора еще достаточно высока, растет быстрее с током, и начиная с какого-то момента, она начинает преобладать. Поскольку в центральной области плотность носителей меняется линейно с током ( см. таблицу), то по такому же закону должна изменяться интенсивность примесной электролюминесценции. [4]
Поскольку электрон и дырка пространственно разделены, вероятность излучательной рекомбинации ( год) 1 определяется перекрытием их волновых функций. A является наибольшим из значений бо ровских радиусов донора и акцептора. [6]
 |
Схема излучательных переходов.| Схема оптронной Спектральный состав рекомбйнацион. [7] |
Другим способом повышения внутреннего квантового выхода диода является увеличение вероятности излучательной рекомбинации путем выбора полупроводникового материала и степени его легирования. В таких полупроводниках, как Si и Ge, у которых дно зоны проводимости и потолок валентной зоны расположены при различных значениях волнового вектора k ( рис. 5.4), вероятность межзонной излучательной рекомбинации много меньше, чем у полупроводников с совпадающими экстремумами зон ( GaAs, InAs, InSb и-др. [8]
К) - затухание экситонного состояния Ei ( K), rraci определяется вероятностью излучательной рекомбинации экситонов с участием LO фонона. [10]
 |
Схема включения торыми происходит переход элек-светодиода тронов. [11] |
В полупроводниковых материалах с большой шириной запрещенной зоны ( GaAs, GaP, SiC) вероятность излучательной рекомбинации достаточно высока, что и определяет возможность изготовления на их основе источников света. [12]
В полупроводниковых материалах с большой шириной запрещенной зоны ( GaAs, GaP, SiC) вероятность излучательной рекомбинации достаточно высока, что и определяет возможность изготовления на их основе источников света. В отличие от указанных материалов в германии и кремнии процесс рекомбинации носителей с излучением света в обычных условиях маловероятен. [13]
 |
Схема излучательных переходов.| Схема оптронной Спектральный состав рекомбйнацион. [14] |
Из (12.26) следует, что для получения максимальной внутренней эффективности светодиода следует по возможности увеличить отношение вероятности излучательной рекомбинации к безызлуча-тельной. Вероятность безызлучательной рекомбинации можно уменьшить, очистив полупроводник от глубоких рекомбинационных центров. Сделать это очень трудно, так как сечение захвата носителей некоторыми примесными центрами, например медью, велико и требуется очень высокая степень очистки оттаких примесей. Поэтому качество светодиодов в значительной мере зависит от степени очистки исходных материалов и совершенства технологии изготовления диодов. [15]
Страницы: 1 2