Вероятность - встреча
Cтраница 3
С разбавлением раствора электролита вероятность встречи ионов в растворе уменьшается, степень электролитической диссоциации увеличивается. [31]
Как же действительно подсчитать вероятность встречи математика с его любимой. [32]
Наоборот, при увеличении концентрации вероятность взаимной встречи ионов возрастает и равновесие сдвигается влево - степень электролитической диссоциации уменьшается. [33]
При больших скоростях для оценки вероятности встречи отраженных молекул с молекулами набегающего потока необходимо учитывать не только форму тела, но и темп-ру Т, отраженных от тела молекул, к-рая определяется коэфф. [35]
Конечно, увеличение времени ожидания повысило вероятность встречи. [36]
Благодаря этому удлинению пути электронов сильно возрастает вероятность встречи их с молекулами остаточного газа и, следовательно, разряд не будет гаснуть даже при очень низких давлениях. [37]
Геолого-статистический разрез ( ГСР), отражающий вероятность встречи коллектора по палеоглубине, построен по скважинам сводной части месторождения с использованием 2 - х реперов, расстояние между которыми принято за единицу. Построение ГСР по двум реперам позволяет уменьшить влияние на его форму возможного изменения толщины рассматриваемой части разреза по площади залежи, особенно величины удлинения ствола скважины в рассматриваемом интервале. Полученный ГСР отражает ритмичное чередование четких максимумов и минимумов вероятности встречи-коллектора. Минимумы соответствуют границам между коллекторами смежных зональных интервалов. [38]
Значение агрегативной устойчивости такой системы можно характеризовать вероятностью встречи частиц, которая определяется квадратом объемной концентрации дисперсной фазы и составляет j 0 - ю - ] Q-I2 Кроме того, агрегативная устойчивость системы определяется также и размерами частиц, составляющих дисперсную фазу. При очень малых размерах ( менее 3 мкм) частицы подвержены заметному броуновскому движению. [39]
Здесь f ( Т) - функция, описывающая вероятность встречи трех фононов, которая растет с температурой примерно как Тп, где п несколько больше единицы. Из (4.159) видно, что при стремлении температуры к абсолютному нулю, теплопроводность должна бесконечно возрастать. Однако при переходе к низким температурам длина свободного пробега фононов уже настолько возрастает, что на их рассеянии начинают сказываться физические границы самого кристалла. [40]
Немаловажное значение имеет также тот факт, что вероятность встречи дырки с неподвижным электроном, локализованным на дефекте, значительно выше вероятности встречи ее с подвижным электроном. [41]
Дело в том, что прямой переход определяется вероятностью встречи двух частиц - электрона и фотона, а при, реализации непрямых переходов должны участвовать тр частицы - электрон, фотон и фонон. [42]
Длительное существование макрорадикалов в деструктированном полимере объясняется также малой вероятностью встречи их активных концов вследствие свернутости макрорадикалов и наличия боковых групп и ответвлений. [43]
 |
Энергетическая диаграмма полупроводника, содержащего центры рекомбинации ( а и центры прилипания ( б. [44] |
Вероятность встречи дырки с локализованным неподвижным электроном значительно выше вероятности встречи с подвижным электроном. Поэтому глубокие локальные уровни являются эффективными центрами рекомбинации. [45]
Страницы: 1 2 3 4