Регулярность - решетка
Cтраница 1
 |
Зависимость эффективной электропроводности электролита ( 7 н. КОН в пористом слое от весового содержания. [1] |
Регулярность решетки состоит в том, что их структурные элементы в геометрическом отношении подобны и отличаются лишь своими гидрофильно-гидрофобными свойствами. Основные структурные элементы этих решеток - узлы и звенья. [2]
Наиболее распространены энергетические дефекты - фоно-ны - временные искажения регулярности решетки кристалла, вызванные тепловым движением ( подробнее о фононах см. в гл. К энергетическим дефектам кристаллов относятся также временные несовершенства решетки ( возбужденные состояния), вызываемые воздействием различных радиации: света, рентгеновского или у-излучения, - излучения, потока нейтронов. [3]
Результаты исследования адсорбции различных веществ на цеолитах не всегда могут быть объяснены, исходя из представлений о полной регулярности решетки цеолитов. [4]
Здесь в первую очередь речь идет об электрических и оптических свойствах, которые несравненно более чувствительны к нарушениям регулярности решетки и примесям, чем свойства химические. Химические свойства ( они основаны на химических реакциях) более чувствительны к тонкостям химического строения молекул. [5]
Вид спектров молекулярных кристаллов зависит от силового поля, создаваемого кристаллической решеткой. Регулярность решетки благоприятствует разрешению тонкой структуры спектра. Деформация решетки и уменьшение размеров кристалликов ( сопровождающееся увеличением числа молекул на поверхности кристалла по отношению к числу молекул, находящихся в его объеме) приводит к уширению электронно-колебательных полос спектра. В этом случае вместо структурного спектра флуоресценции кристалла наблюдается бесструктурная полоса испускания эксимера, значительно смещенная в область больших длин волн. [6]
Электрическое сопротивление твердых растворов при комнатной температуре значительно больше, чем у чистых металлов, и тем в большей степени, чем больше произведение концентраций компонентов. Это объясняется нарушениями регулярности решетки микрокристаллитов даже при статистически равномерном распределении атомов растворенного вещества. В еще большей степени сопротивление твердых растворов возрастает при образовании местных неравновесных концентраций атомов компонентов раствора, образующихся возле вакансий и на границах микрокристаллитов пленки. Очевидно, что ТКС таких сплавов меньше, чем у исходных компонентов, из-за высокой концентрации дефектов и наличия центров рассеяния. [7]
 |
Теоретическая прочность некоторых материалов. [8] |
Различают точечные дефекты энергетические, электронные и атомные. Энергетические дефекты ( фононы) - временные искажения регулярности решетки кристалла, вызванные тепловым движением или воздействием различных радиации - - светового, рентгеновского и других излучений. К электронным дефектам относятся избыточные электроны, недостаток электронов ( незаполненные валентные связи в кристалле-дырки) и парные дефекты ( экситоны), состоящие из электрона и дырки, связанные между собой кулонов-скими силами. На рис. 3.6 показаны три вида атомных дефектов. [9]
Любой макроскопический образец реального кристалла обладает дислокациями. Дислокация, являясь довольно протяженным образованием, вызывает нарушение регулярности решетки лишь в малой окрестности некоторой линии - своей оси. Поэтому локализованные у дислокации колебания имеют вид волн, бегущих вдоль линии дислокации. [10]
Мы привыкли считать, и это не согласуется с теорией Степанова, что пластическая деформация увеличивает прочность на разрыв, но влияние это второстепенное. Пластическая деформация увеличивает предел упругости главным образом путем искажения регулярности решетки. До достижения нового увеличенного предела упругости никакого сдвига не происходит, и поэтому нет возможности для разрыва. Увеличение количества сдвигов приводит к образованию все увеличивающихся напряжений и к нарушению сплошности до тех пор, пока в какой-то точке ( более вероятно, на поверхности) не будет достигнут теоретический предел прочности. Развитие таких нарушений сплошности и приводит к разрыву. [11]
Мы привыкли считать, и это не согласуется с теорией Степанова, что пластическая деформация увеличивает прочность на разрыв, но влияние это второстепенное. Пластическая деформация увеличивает предел упругости главным образом путем искажения регулярности решетки. До достижения нового увеличенного предела упругости никакого сдвига не происходит, и поэтому нет возможности для разрыва. Увеличение количества сдвигов приводит к образованию все увеличивающихся напряжений и к нарушению сплошности до тех пор, пока в какой-то точке ( более вероятно, на поверхности) не будет достигнут теоретический предел прочности. Развитие таких нарушений сплошности и приводит к разрыву. [12]
Итак, кристаллы одного и того же соединения, полученные различными методами, отличаются своей реальной структурой и свойствами. Здесь в первую очередь речь идет об электрических и оптических свойствах, которые несравненно более чувствительны к на рушениям регулярности решетки и примесям, чем свойства химические. Химические свойства ( они основаны на химических реакциях) более чувствительны к тонкостям химического строение молекул. [13]
Объемная пористость ( порозность) и поверхностная пористость ( просветность) одинаковы для однородных по своей структуре пористых тел. В нашем случае этот признак нарушается, и мы можем отметить первую особенность трубного пучка как пористого тела: вследствие соизмеримости одного из размеров отдельной трубки ( ее длины) с размером всего тела ( аппарата), а также вследствие регулярности решетки труб или стержней объемная и поверхностная пористость не совпадают, если рассматривать секущие плоскости с малыми углами атаки ( pS / L, где 5 - шаг труб в пучке, L - длина пучка. Физически это приводит к периодическому регулярному изменению средней скорости и давления по ходу потока при поперечном и косом обтекании пучка, чего нет при почти продольном и продольном обтекании пучка. [14]
Классическое описание здесь явно непригодно, ибо оно не объясняет четыре наиболее фундаментальных факта, наблюдаемых на опыте. Во-первых, во многих кристаллах существуют электроны, способные под действием электрического поля перемещаться по всему кристаллу, создавая электрический ток, тогда как в классической динамике каждый электрон должен был бы принадлежать своему атому. Во-вторых, при отсутствии примесей и колебаний решетки эти электроны, а также электроны, проникшие в кристалл извне, движутся по нему совершенно свободно, как будто кристаллической решетки, состоящей из заряженных атомных остовов, вообще не существует. В-третьих, примеси и другие нарушения регулярности решетки оказывают тормозящее действие на электроны, отличное от действия остальных атомов. В-четвертых, существует резкое отличие в поведении электронов в кристаллах, относящихся к металлам, диэлектрикам и полупроводникам. [15]
Страницы: 1