Полупроводниковый регулятор

Cтраница 3

В разработанной в СКВ Аналитического приборостроения АН СССР конструкции концентратора отрицательные и положительные температуры поддерживаются при помощи полупроводникового регулятора температуры или лагометра типа ЛР1 - 02М, со шкалой ( - 150) - ( 150) С. [31]

Пружинная державка ( а с инструментом в виде пластины ( 6. [32]

Управление током при осуществлении процесса ЭМО в импульсном режиме может осуществляться с помощью сварочных прерывателей тока, специальных полупроводниковых регуляторов тока в первичной цепи трансформаторов или в выходных цепях тиристор-ных преобразователей. [33]

Описанные выше системы новых петле-лержателей, быстроходные приводы нажимных винтов и устройства для измерения толщины вместе с быстродействующими полупроводниковыми регуляторами скорости клетевых приводов п рентгеновскими датчиками толщины и ширины являются составными частями современных систем автоматического регулирования толщины. [34]

Известны также другие весьма разнообразные схемы управления, в частности, с включением ЭМ током перезаряда конденсатора, полупроводниковыми регуляторами ( бесконтактные схемы), переключением ЭМ от сети переменного тока на постоянный ток, схемы управления ЭМ с постоянными магнитами. [35]

В производстве цемента применяют автоматическое управление и регулирование технологических процессов ( помола сырья и цемента, обжига клинкера и др.) с помощью электронных и полупроводниковых регуляторов с электромеханическими исполнительными механизмами. [36]

Датчики полупроводниковых регуляторов выпускаются в защитных кожухах, исполненных для работы в агрессивных и неагрессивных жидких и газообразных средах, с различной глубиной погружения ( от 170 до 770 мм), а также в камерном исполнении для установки в помещениях. [37]

Принципиальным препятствием улучшения качества регулирования является большая постоянная времени обмоток возбуждения. Применение быстродействующих полупроводниковых регуляторов не уменьшает существенно длительность переходных процессов, так как качество переходных процессов определяется уже постоянными времени обмотки возбуждения возбудителя и генератора. Дальнейшее совершенствование бесконтактных генераторов возможно на основе создания генераторов с возбуждением от высших гармоник магнитного поля и систем регулирования напряжения с исполнительным элементом на статоре. [38]

Схема полупроводникового регулятора мощности и тока главного генератора тепловоза ТЭЗ системы МИИТа. [39]

Основу структуры полупроводникового регулятора мощности, впервые разработанного МИИТом в 1961 г. применительно к тепловозам ТЭЗ, составляют транзисторы. В 1966 г. схема регулятора мощности была дополнена регулятором тока генератора, выполненного также на транзисторной основе, и в таком виде после, длительных испытаний принята для модернизации опытной партии тепловозов ТЭЗ. [40]

Второй вариант использован в транзисторных источниках питания типа АП, в которые входят трехфазный понижающий трансформатор, дроссель насыщения и выпрямительный блок. В сварочную цепь включен полупроводниковый регулятор тока, состоящий из германиевых триодов. Падающая характеристика создается с помощью дросселя насыщения. [41]

ВС, собранный по трехфазной мостовой схеме. В цепи дуги имеется полупроводниковый регулятор сварочного тока, собранный из десяти параллельно включенных германиевых триодов типа П4 по схеме с оо-щим эмиттером. Дуга возбуждается с помощью осциллятора последовательного включения. Падающая характеристика источника питания получается за счет дросселя насыщения Дн, который имеет две обмотки управления: одну включенную последовательно, а другую параллельно выходу выпрямительного блока ВС. [42]

Источник питания содержит трехфазный понижающий трансформатор Тр, трехфазный дроссель насыщения Дн и выпрямительный блок ВС, собранный по трехфазной мостовой схеме. В цепи дуги имеется полупроводниковый регулятор сварочного тока, собранный из десяти параллельно включенных германиевых триодов типа П4 по схеме с общим эмиттером. Дуга возбуждается с помощью осциллятора последовательного включения. Падающая характеристика источника питания получается за счет дросселя насыщения Дн, который имеет две обмотки управления: одну включенную последовательно, а другую параллельно выходу выпрямительного блока ВС. [43]

Полупроводниковый регулятор тем-пературы ПТР-П применяется в пропорциональных системах автоматического регулирования с жесткой обратной связью. Он построен на базе полупроводникового регулятора температуры ПТР-3. Пропорциональный полупроводниковый регулятор температуры может работать с электрическими исполнительными механизмами, имеющими реостат обратной связи сопротивлением 120 - 180 ом. Прибор ПТР-П был предназначен для работы совместно с электрическими исполнительными механизмами типа ПР-1М, ПР-М, ИМ-2 / 120 и др., имеющими аналогичную схему управления. [44]

Схема бесконтактного регулятора напря-жения БРНЗ. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5