Режим - модулированная добротность - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Русский человек способен тосковать по Родине, даже не покидая ее. Законы Мерфи (еще...)

Режим - модулированная добротность

Cтраница 1


1 Режим добротности. [1]

Режим модулированной добротности используется в ряде применений ОКГ, требующих коротких ( микро - и наносекунд-ных) импульсов излучения большой мощности. Применение таких импульсов позволяет, например, существенно повысить разрешающую способность радиолокационных систем при сохранении дальности действия.  [2]

В чем заключается режим модулированной добротности.  [3]

Лазер может работать в режиме модулированной добротности с коротким импульсом излучения ( десятки наносекунд), либо в режиме свободной генерации с длительностью импульса до сотен микросекунд.  [4]

Формула (4.160) более удобна при анализе режима модулированной добротности, формула (4.161) - для режима свободной генерации. В последнем случае для облегчения нахождения Рср реальный импульс ( чаще всего имеющий вид последовательности пичков хаотических пульсаций) заменяется эквивалентным импульсом прямоугольной формы.  [5]

Такая мощность генерации достигается лишь в режиме модулированной добротности.  [6]

Показана возможность применения лазера, работающего в режиме модулированной добротности, для целей масс-спектрометрического анализа твердых веществ.  [7]

8 Классификация ламповых осветителей. [8]

Импульсная мощность многоэлементных рубиновых ОКГ, работающих в режиме модулированной добротности, составляет десятки - сотни мегаватт. Расходимость пучка излучения определяется неоднород-ностями, рассеянием света в кристалле, а также конструкцией резонатора и составляет около 0 5 - 10 мрад.  [9]

Для получения спектра вещества твердой мишени излучение лазера в режиме модулированной добротности фокусируется на поверхности мншени. Мишень помещается в вакуум.  [10]

Следует отметить, что при переходе лазера из обычного импульсного режима в режим модулированной добротности энергия излучения не увеличивается, а даже несколько снижается за счет увеличения потерь в резонаторе; возрастание мощности в импульсе связано с использованием накопленной энергии частиц за очень короткий промежуток времени.  [11]

Поэтому первоначально эти генераторы излучали при накачке импульсами ОКГ, работающими в режиме модулированной добротности. Несколько позднее появились ОКГ, работающие при накачке лмпуль-сами света малой длительности, что оказалось возможным после разработки специальных импульсных ламп накачки и алоиндуктивных накопительных конденсаторов. В связи с этим различают ЖКГ на растворах органических красителей с ламповой и лазерной накачкой.  [12]

Основой передающего устройства лазерного локатора GSFC служила лазерная головка с рубиновым активным элементом, работавшая в режиме модулированной добротности с частотой повторения 1 Гц. Модуляция добротности осуществлялась призмой полного внутреннего отражения, вращавшейся с частотой 24000 об / мин, а также дополнительной оптической ячейкой, содержавшей раствор криптоцианина и метанола, которая выполняла роль пассивного затвора. Расходимость лазерного излучения на выходе лазерной головки составляла приблизительно 10 - 2 радиан. С помощью десятикратного телескопа Галилея расходимость уменьшалась до величины 1 2 - 10 - 3 радиан.  [13]

Оптический квантовый генератор ( ОКГ) на алюмо-иттриевом гранате, активированном неодимом 1, работает в режиме модулированной добротности с частотой следования импульсов от одиночных до 100 гц. Образующаяся плазма расширяется в объеме эквипотенциального экспандера 7 и попадает в систему формирования ионного пучка, образованную сферической сеткой 8, фокусирующим 9 и вытягивающим 10 электродами. Потенциал вытягивающего электрода равен нулю. Специальный манипулятор 6 позволяет перемещать образец внутри вакуумной камеры источника вручную и автоматически по двум координатам с заданной стабилизированной скоростью. При этом луч лазера сканирует поверхность образца по строчкам.  [14]

15 Зависимость частоты повторения вк и длительности импульсов генерации ( а разрезного диода ( б от Л при / 2 8 а. [15]



Страницы:      1    2    3    4