Режим - запись - информация
Cтраница 2
В зависимости от выполняемой микрокоманды счетчик адресов может работать в режиме хранения или в режиме записи информации. При работе счетчика в режиме записи сигнал высокого уровня на входе CICT позволяет записывать в счетчик адресов информацию с выхода коммутатора, увеличенную на единицу. При наличии на входе CICT сигнала низкого уровня информация в счетчик адресов записывается без изменения. Наличие сигналов CICT: i COCT позволяет соединять счетчики адресов микросхем КМ1804ВУ5 по схеме с последовательным переносом. [16]
Входы WA, WB, WC, WX ( выводы 23, 21, 20, 18) определяют режим записи информации с каналами А, В, С, X к выбранные регистры микросхемы ОИ. О на входе WA разрешена запись информации с канала А в выбранный регистр микросхемы ОИ. О на входе VCB разрешена запись информации с канала В в выбранный регистр. О на входе WC разрешена запись информации с канала С в выбранный регистр. О на входе WX разрешена запись информации с канала X в выбранный регистр. О на входах И / Л, WB, WC, WX разрешена запись информации с каналов А, В, С, X в выбранные регистры. [17]
 |
Схема с памятью на потенциальных логических элементах. [18] |
Здесь сигналы синхронизации t и t находятся в противофазе, их действующие единичные значения во времени не пересекаются и поэтому, когда триггеры 7 находятся в режиме записи информации ( / 1), триггеры Т - в режиме хранения ( 0), и наоборот. [19]
Будем считать, что в ЗЭ записана логическая единица, если транзистор УТг закрыт, a VT2 открыт. Таким образом, запоминающий элемент ( триггер) хранит записанную в нем ранее предыдущую информацию ( состояние 1 или О), не допуская записи новой информации. При действии на адресных шинах сигнала 1 ( режим записи информации) эмиттерные переходы 2, 3 4, 5 транзисторов закрыты, и триггер управляется сигналами, поступающими с разрядной К и разрешающей запись L шин соответственно, на эмиттеры 6 и 1 транзисторов. [20]
 |
Несимметричная ТТЛ-схема разрядного управления накопителем на ТОЭ-ЭП с эмиттерными связями, в котором для записи и считывания используются разные разрядные шины. [21] |
При обращении к кристаллу ( 1 на входе ВК) транзистор Т0 входит в насыщение, и ток, потребляемый схемой, резки возраста-ет. Таким образом удается достичь высокого быстродействия при низкой мощности рассеяния. Наличие на входах ВК и РЗ высоких уровней напряжения соответствует режиму записи информации. Характер записываемой информации определяется состоянием информационного входа Дпх. Если на этот вход поступает О, то транзистор ТЗ заперт, Т7 насыщен и потенциал на разрядной шине записи РЗ оказывается выше, чем потенциал на шин чтения РСч, примерно на величину падения напряжения на прямо смещенном р-п-переходе. В результате транзистор Т триггера, который до начала цикла записи мог находиться в любом состоянии, отпирается. Если теперь понизить уровень напряжения на входе Рзап, то в разрядной шипе считывания Рсч потечет ток, который вызовет отпирание транзисторов Т10 и Т11 и появление на выходе схемы отрицательного импульса, что соответствует считыванию О. Повысив теперь напряжение на входах ДВх и РЗ до уровня 1, можно переключить ЭП в противоположное состояние. [22]
Пусть ОЗУ будет выполнено, например, на БИС типа КР565РУ2 емкостью по 1024 одноразрядных слова каждое, для чего понадобится восемь БИС, а ПЗУ будет выполняться на элементах К573РФ1 емкостью 1024 однобайтных слова. Для того чтобы обратиться к ЗУ, необходимо использовать не только сигналы с шины управления, которые выбирают и включают буферные устройства, но требуется еще и определять запоминающее устройство - ОЗУ или ПЗУ, так как они размещены в разных ЬИС. Для этих целей предназначен дешифратор, на одном выходе которого образуется сигнал, разрешающий чтение информации из ОЗУ, а на другом - сигнал, позволяющий использовать ПЗУ. Несколько сложнее управлять работой ОЗУ, так как оперативная память позволяет применять как режим записи информации, так и считывания: в зависимости от сигнала с шины управления - СЧИТЫВАНИЕ ИЗ ЗУ или ЗАПИСЬ В ЗУ. [23]
Принцип работы ПЗС состоит в том, что в каждой отдельной МДП-структуре можно создать локальный приповерхностный заряд неосновных носителей и перемещать его вдоль поверхности от одной МДП-структуры к другой, меняя соответствующим образом последовательность тактовых импульсов, подаваемых на затворы. ПЗС обычно строят на основе кремния / г-типа и на затворы подают отрицательные рабочие напряжения, по модулю меньшие порогового. Поэтому в п-полупроводнике под затвором образуется обедненная основными носителями заряда область в виде потенциальной ямы. В потенциальной яме скапливаются неосновные носители заряда ( дырки), образующие зарядовый пакет. Пакет дырок под затвором может сохраняться в течение определенного времени. Ввод зарядового пакета под затвор называют режимом записи информации, а напряжение t / 2) обеспечивающее такой ввод, - напряжением записи. [24]
Страницы: 1 2