Режим - каналирование
Cтраница 1
 |
Система теней, образованных упруго рассеянными протонами в монокристалле вольфрама. [1] |
Режим каналирования может поддерживаться длительное время только в идеальных монокристаллах, у которых атомы закреплены в узлах цепочек. В реальных же монокристаллах каналированные частицы могут рассеиваться на углы, превышающие угол каналирования, и выбывать из режима каналирования, например, в результате столкновений с атомами, внедренными в пространство между цепочками. Поэтому число каналированных частиц сильно уменьшается с увеличением глубины их проникновения в монокристалл. В режим каналирования могут захватываться также и электроны. [2]
 |
Скол поликристаллического молибдена. а - в режиме каналирования электронов. Х35. б - картина каналирования от одного из зерен Е. А. Войтехова. [3] |
На рис. 3.8, а в качестве примера приведено изображение в режиме каналирования электронов скола поликристаллического молибдена. [4]
Угол бкан падения частицы на цепочку, начиная с которого происходит захват частицы в режим каналирования, называется углом капалирования. Оценки показывают, что угол каналирования примерно в полтора раза меньше угла тени. [5]
Угол бкан падения частицы на цепочку, начиная с которого происходит захват частицы в режим каналирования, называется углом каналырования. Оценки показывают, что угол каналирования примерно в полтора раза меньше угла тени. [6]
К-кинематический фактор; dEi / dx, dE2 / dx - энергетические потери частицы при влете и вылете в режиме каналирования при движении в аморфном теле1 ( т.е. поврежденном поверхностном слое монокристалла); MI и М2 - массы рассеянной частицы и атома мишени; в и в 2 - угол падения пучка и угол вылета рассеянных частиц относительно нормали к поверхности; в - угол рассеяния. [7]
Режим каналирования может поддерживаться длительное время только в идеальных монокристаллах, у которых атомы закреплены в узлах цепочек. В реальных же монокристаллах каналированные частицы могут рассеиваться на углы, превышающие угол каналирования, и выбывать из режима каналирования, например, в результате столкновений с атомами, внедренными в пространство между цепочками. Поэтому число каналированных частиц сильно уменьшается с увеличением глубины их проникновения в монокристалл. В режим каналирования могут захватываться также и электроны. [8]
 |
Протонограмма кристалла молибдена для направления ( 110, полученная в процессе методом ориентационных эффектов анализа. [9] |
С уменьшением угла падения пучка от фкр до 0 доля каналиро-ванных частиц резко возрастает, в результате чего выход процессов близкого взаимодействия падающих частиц с атомами кристалла, расположенными в узлах решетки, снижается на два порядка. Рассеяние на электронах и дефектах в кристаллах, а также неупругие потери энергии в процессе прохождения пучка в кристалл приводят к деканалиро-ванию некоторой части каналирован-ных частиц - выходу их из режима каналирования. [10]
 |
Система теней, образованных упруго рассеянными протонами в монокристалле вольфрама. [11] |
Режим каналирования может поддерживаться длительное время только в идеальных монокристаллах, у которых атомы закреплены в узлах цепочек. В реальных же монокристаллах каналированные частицы могут рассеиваться на углы, превышающие угол каналирования, и выбывать из режима каналирования, например, в результате столкновений с атомами, внедренными в пространство между цепочками. Поэтому число каналированных частиц сильно уменьшается с увеличением глубины их проникновения в монокристалл. В режим каналирования могут захватываться также и электроны. [12]
Режим каналирования может поддерживаться длительное время только в идеальных монокристаллах, у которых атомы закреплены в узлах цепочек. В реальных же монокристаллах каналированные частицы могут рассеиваться на углы, превышающие угол каналирования, и выбывать из режима каналирования, например, в результате столкновений с атомами, внедренными в пространство между цепочками. Поэтому число каналированных частиц сильно уменьшается с увеличением глубины их проникновения в монокристалл. В режим каналирования могут захватываться также и электроны. [13]
Страницы: 1