Значение - ток - управление
Cтраница 3
 |
Диаграмма /. ( ЭУР при включении и выключении управляющего тока. [31] |
На рис. 2.4 представлена зависимость / изменения сопротивления ЭУР во времени 1С и соответствующая диаграмма тока управ - ления. При снижении значения тока управления ( кривая / /) скачки выключения - включения тока также уменьшаются. [32]
 |
Характеристики вход - выход бесконтактного аппарата на полупроводниковых триодах. [33] |
При некотором значении тока управления i yl транзистор Т переходит из режима отсечки в активное состояние. [34]
Вольт-амперные характеристики перехода УЭ-К тиристора имеют нелинейный характер и отличаются большим разбросом для одного и того же типа тиристора. Также большой разброс имеют и значения токов управления ( спрямления), при которых для данной температуры происходит включение тиристора. Поэтому обычно приводятся минимальные значения тока управления / у. [35]
 |
Характеристики магнитного усилителя с обратной связью. [36] |
Изменение коэффициента обратной связи достигается изменением числа витков обмотки обратной связи или шунтированием ее сопротивлением. Усилитель работает с положительной обратной связью в области значений токов управления, лежащих правее точки А характеристики, и с отрицательной обратной связью в области значений токов управления влево от точки А. [37]
Значение Ву ( или Л) в конце управляющего полупериода БМУ определяется только амплитудной величиной входного сигнала по напряжению в этот полупериод; от тока обмотки управления оно не зависит. В МУС перепад индукции в каждый рабочий полупериод определяется значением тока управления в конце предшествующего управляющего полупериода. Но так как при скачкообразном изменении входного сигнала по напряжению время нарастания тока из-за индуктивности обмотки управления больше полупериода частоты питания, то и переходной процесс в МУС может закончиться лишь при достижении этим током установившегося значения. Поэтому в МУС инерционность определяется как запаздыванием, так и постоянной времени обмотки управления; в БМУ - только величиной запаздывания. Максимальная длительность запаздывания в БМУ оценивается полупериодом частоты питания. [38]
Изменение коэффициента обратной связи достигается изменением числа витков обмотки обратной связи или шунтированием ее сопротивлением. Усилитель работает с положительной обратной связью в области значений токов управления, лежащих правее точки А характеристики, и с отрицательной обратной связью в области значений токов управления влево от точки А. [39]
 |
Принципиальная схема настройки компенсации ЭМУ поперечного поля. [40] |
Чаще всего, как указывалось выше, ЭМУ поперечного поля настраивается на небольшую недокомпенса-цию. Такую настройку можно производить по внешней характеристике при номинальном токе управления, задавая, в зависимости от требований систем регулирования, где будет применяться тот или иной ЭМУ, диапазон падения напряжения от холостого хода до номинальной или двойной нагрузки при неизменном. Иногда это делается при двух или нескольких значениях тока управления. [41]
 |
Испытание изоляции блоков ЛРВ. [42] |
Производится выбор рабочего напряжения питания МУ и снятие характеристик МУ. Отключается напряжение питания одного плеча МУ. К контрольному входу МУ подключается регулируемый источник постоянного тока через сопротивление, равное примерно 5 кОм, и устанавливается такое значение тока управления, которое соответствует запиранию проверяемого плеча МУ. [43]
В р - п - р - n - структуре, находящейся во включенном состоянии, все р - n - переходы смещены в прямом направлении, в базовых слоях накоплены избыточные носители заряда и между процессом рекомбинации носителей и инжекцией их эмиттерны-ми переходами сохраняется динамическое равновесие. Подача импульса выключающего тока в базовый слой структуры приводит к тому, что динамическое равновесие смещается в сторону уменьшения накопленного заряда в базах. Заряд уменьшается в обеих базах: в базе, в которой течет ток управления, заряд уменьшается из-за снижения тока через примыкающий эмит-терный переход на значение тока управления, а во второй базе заряд уменьшается из-за соответствующего снижения потока носителей через коллекторный переход, что приводит к уменьшению инжекции носителей вторым эмиттерным переходом. [44]
Страницы: 1 2 3 4