Режим - электрический пробой
Cтраница 2
Для приближенных расчетов используется кусочно-линейная математическая модель диода. Она описывает ВАХ диода при прямом и обратном смещениях, а также в режиме электрического пробоя с помощью уравнений прямых. [16]
 |
Варианты использования транзисторов в качестве диодов.| Стабилитрон из двух диодов для температурной компенсации. [17] |
Некоторые из рассмотренных вариантов диодов иногда применяют в качестве стабилитронов. Для стабильного напряжения 5 - 10 В используют вариант Б - Э при обратном напряжении в режиме электрического пробоя. Стабильные напряжения, кратные прямому напряжению 0 7 В, получают при последовательном соединении диодов ( вариантов) БК - Э, работающих при прямом напряжении. Температурный коэффициент напряжения ( ТКН) в таких стабилитронах составляет единицы милливольт на кельвин. Один диод работает в режиме электрического пробоя, а другой - при прямом напряжении. [18]
При некотором значении обратного напряжения возникает пробой п - р-пе-рехода, при котором обратный ток резко возрастает и сопротивление запирающего слоя резко уменьшается. Следует различать электрический и тепловой пробой и - р-перехода. Поэтому работа диода в режиме электрического пробоя допустима. Специальные диоды для стабилизации напряжения - полупроводниковые стабилитроны - работают на участке БВ характеристики. Могут, существовать два вида электрического пробоя, которые нередко сопутствуют друг другу: лавинный и туннельный. [19]
Образующиеся при этом два р - - перехода включены встречно. Внешние выводы имеют только анодные р-области структуры. Эта особенность структуры стабилитрона обусловливает название прибора. При подаче на стабилитрон напряжения любой полярности один переход работает в режиме электрического пробоя, а другой - термокомпенсирующий. [20]
Некоторые из рассмотренных вариантов диодов иногда применяют в качестве стабилитронов. Для стабильного напряжения 5 - 10 В используют вариант Б - Э при обратном напряжении в режиме электрического пробоя. Стабильные напряжения, кратные прямому напряжению 0 7 В, получают при последовательном соединении диодов ( вариантов) БК - Э, работающих при прямом напряжении. Температурный коэффициент напряжения ( ТКН) в таких стабилитронах составляет единицы милливольт на кельвин. Один диод работает в режиме электрического пробоя, а другой - при прямом напряжении. [21]
Обратная ветвь ( участок а - О на рис. 6.2) вольт-амперной характеристики тиристора соответствует подключению внешнего напряжения орицательным полюсов к аноду и положительным - к катоду. Это вызывает смещение среднего перехода в лрямом направлении, а двух крайних переходов - в обратном. Второй переход открыт, и падение напряжения на нем мало. Поэтому можно предположить, что обратное напряжение / 70вр распределяется главным образом по первому и третьему переходам. Однако в процессе изготовления тиристора концентрация примеси в pi - и / 12-слоях обеспечивается достаточно высокой по сравнению с концентрацией в р - и rti - слоях, и третий переход получается узким. С приложением обратного напряжения третий переход вступает в режим электрического пробоя при напряжении, существенно меньшем рабочих Напряжений. [22]
Это вызывает смещение среднего перехода в прямом направлении, а двух крайних переходов - в обратном. Второй переход открыт, и падение напряжения на нем мало. Поэтому можно предположить, что обратное напряжение [ 70бр распределяется главным образом по первому и третьему переходам. Однако в процессе изготовления тиристора концентрация примеси в р2 - и 2-слоях обеспечивается достаточно высокой по сравнению с концентрацией в /) - и пгслоях, и третий переход получается узким. С приложением обратного напряжения третий переход вступает в режим электрического пробоя при напряжении, существенно меньшем рабочих напряжений. Поэтому максимально допустимое обратное постоянное напряжение ( точка а на рис. 6.2) Uo6pMaKC соответствует напряжению пробоя для первого перехода. [23]
Страницы: 1 2