Cтраница 2
Инерционность фотодиодов в вентильном режиме при понижении температуры ниже 0 С уменьшается и сравнивается с инерционностью в фотодиодном режиме. [16]
Действительно, в вентильном режиме тока короткого замыкания два из указанных достоинств ( малая инерционность) и низкий уровень шумов) реализуются. [17]
В таком случае выбирается вентильный режим включения фотодиода, при котором шумы его меньше, чем при фотодиодном режиме, и, следовательно, выше способность к обнаружению. [18]
Рассмотрена работа фотодиода в вентильном режиме. Получены соотношения, позволяющие дать количественную оценку величины электрического сигнала в зависимости от величины светового сигнала, от уровня постоянной засветки, температуры и величины сопротивления нагрузки. Соотношения экспериментально проверены на различных типах фотодиодов. [19]
Выходное сопротивление фотодиода в вентильном режиме при отсутствии засветки равно RQ и для германиевых фотодиодов при комнатной температуре составляет единицы, а для кремниевых - сотни ком. [20]
Условные графические обозначения полупроводниковых диодов. [21] |
Как работает фотодиод в вентильном режиме. [22]
При работе фотодиода в вентильном режиме наиболее существенно от засветки зависит выходное сопротивление гфв. [23]
Эквивалентная схема фотодиода и фототранзистора на повышенных частотах. [24] |
При работе фотодиода в вентильном режиме диффузионную емкость СДИф определим из следующих соображений. [25]
Зарядная емкость фотодиода в вентильном режиме С3 определяется при нулевом напряжении смещения на переходе, и ее величина составляет сотни пикофарад. [26]
Зависимость шумового тока фототранзистора от напряжения на коллекторе. [27] |
При использовании фотодиода в вентильном режиме, например с полупроводниковым усилителем, пороговый сигнал Фмин практически ограничивается только уровнем собственных шумов усилителя. [28]
Рассмотрена работа фотодиода в вентильном режиме. Получены соотношения, позволяющие дать количественную оценку величины электрического сигнала в зависимости от величины светового сигнала, от уровня постоянной засветки, температуры и величины сопротивления нагрузки. Соотношения экспериментально проверены на различных типах фотодиодов. [29]
При работе диода в вентильном режиме указывается среднее за период значение прямого тока / пр. [30]