Предельный эксплуатационный режим
Cтраница 1
Предельные эксплуатационные режимы стабилитронов ограничиваются диапазоном рабочих температур, максимальной допустимой мощностью Рмакс и максимальным током стабилизации / макс. Значения Ямако и / макс снижаются при повышении рабочей температуры. Для расчета допустимой мощности по ф-лам ( 2 - 39) или ( 2 - 39а) при повышенных температурах указывается тепловое сопротивление RT ( относительно корпуса стабилитрона) или йт. [1]
 |
Эквивалентная схема ЛПД. [2] |
Предельные эксплуатационные режимы ЛПД ограничиваются диапазоном рабочих температур и максимальным рабочим током / макс. [3]
Предельные эксплуатационные режимы вентильных фотоэлементов ограничиваются только рабочим диапазоном температур, а для фотодиодных режимов указываются также максимальное допустимое обратное напряжение и максимальная рассеиваемая мощность. [5]
Параметрами предельного эксплуатационного режима диодов являются диапазон температур ГМиН - Тнлкс и ( / пр. [6]
Из параметров предельного эксплуатационного режима следует отметить непрерывную и импульсную рассеиваемую СВЧ-мощность, а также предельные значения рабочих температур. [7]
 |
Схема атомного элемента.| Конструкция магнито-резистора в форме диска Корби-но. [8] |
Параметрами, ограничивающими предельные эксплуатационные режимы магниторезисторов, являются диапазон рабочих температур, максимальный ток и максимальная рассеиваемая мощность. [9]
 |
Эквивалентная схема полупроводникового диода для средних частот.| Эквивалентная схема полупроводникового диода для диапазона СВЧ. [10] |
К характеристикам, описывающим предельные эксплуатационные режимы, примыкают указания по применению радиаторов и принудительного охлаждения ( для мощных выпрямительных диодов), а также рекомендации по номиналам дополнительных сопротивлений или конденсаторов, уравнивающих токи и напряжения на отдельных диодах при параллельном и последовательном соединении диодов в схемах выпрямителей. [11]
К характеристикам, описывающим предельные эксплуатационные режимы, примыкают теплотехнический параметр конструкции полупроводникового диода - тепловое сопротивление и указания по применению радиаторов или принудительного охлаждения, а также рекомендации по номиналам дополнительных резисторов или конденсаторов, уравнивающих токи и напряжения на отдельных диодах при их параллельном или последовательном соединении. [12]
Допускается работа транзисторов при / 200 МГц, Pm 20 Вт и непревышении предельных эксплуатационных режимов. [13]
Допускается работа транзисторов при / 200 МГц, Рвх 20 Вт и непревышении предельных эксплуатационных режимов. [14]
Допускается работа транзисторов при / 200 МГц, Рт 20 Вт и непревышении предельных эксплуатационных режимов. [15]
Страницы: 1 2