Активный режим - работа
Cтраница 1
Активный режим работы является наиболее важным, и поэтому дальнейшее изложение будет относиться к работе полупроводникового триода в этом режиме. [1]
Продолжительность активного режима работы усилительного элемента принято выражать через половину электрического угла 9, в течение которого он проводит электрический ток. Угол в называется также углом отсечки. [2]
В активном режиме работы потенциал анода положителен относительно потенциала катода. [3]
БФ структура выходит в активный режим работы. [4]
Например, если вы установите активный режим работы, то все имена файлов и папок будут подчеркнуты точно так же, как ссылки в Web-документах. [5]
 |
Форма тока заряда базы. - - - - - - - идеализированная. - - - реальная. [6] |
При cosA, [ / У о2т2с активный режим работы отсутствует и весь период транзистор находится в области отсечки. [7]
С учетом понятия обратного тока коллектора ток / к для активного режима работы следует представить как сумму двух составляющих: тока / ИБО и части эмиттерного тока, который определяется потоком носителей, инжектированных в базу и дошедших ( за вычетом рекомбиниро-вавших в базе) до коллекторного перехода. [8]
КБСО), и ток коллектора сменит направление на обычное, наступит активный режим работы, при котором ток базы определяется разностью / Б э - / к - Для этого бывает достаточным напряжение UK3 - 1 В. При дальнейшем увеличении ( по модулю) коллекторного напряжения ( например, до кэ-5 В) базовая характеристика незначительно смещается веерообразно вправо. В справочниках обычно приводят две базовые характеристики: при кэ0 и кэ-5 В. Все остальные характеристики, снятые при и % э 1 В, незначительно отличаются от последней. [9]
В схемах, в которых транзистор применяется для усиления сигналов, основным является его активный режим работы. При подключении положительного полюса источника постоянной ЭДС Е - ЭБ к азе потенциальный барьер р-п перехода ( п-р - п транзистор на рис. 10.14) между базой и эмиттером понижается. Свободные электроны диффундируют ( инжектируются) из эмиттера в базу, образуя ток / э в цепи эмиттеоа. ЕСЛИ между коллектором и базой включен источник постоянной ЭДС Е t / Kg отрицательным полюсом к базе, то увеличивается потенциальный барьер р-п перехода между базой и коллектором, Большая часть электронов, инжектированных из эмиттера в базу, втягивается сильным электрическим полем с напряженностью & КБ этого р-п перехода, образуя ток / к в цепи коллектора. Поэтому ток коллектора от значения напряжения ( / КБ 0 зависит мало. Незначительная часть свободных электронов, инжектированных из эмиттера в базу, образует ток / Б в цепи базы. [10]
В схемах, в которых транзистор применяется для усиления сигналов, основным является его активный режим работы. При подключении положительного полюса источника постоянной ЭДС ЕЭ - ЭБ к азе потенциальный барьер р-п перехода ( п-р - п транзистор на рис. 10.14) между базой и эмиттером понижается. Свободные электроны диффундируют ( инжектируются) из эмиттера в базу, образуя ток / э в цепи эмиттеоа. Если между коллектором и базой включен источник постоянной ЭДС ЕК 1 / КБ отрицательным полюсом к базе, то увеличивается потенциальный барьер р-п перехода между базой и коллектором. [11]
Для этого амплитуда входных импульсов должна быть достаточной для перевода транзистора из режима отсечки в активный режим работы и далее в режим насыщения, а также в обратном направлении. [12]
С / пор - положительное напряжение ибэ на переходе база-эмиттер транзистора, при котором транзистор переходит из режима отсечки в активный режим работы и считается открытым. [13]
При достижении этой величины диод VD2 закрывается, а п - р - и-транзистор VI переходит из режима насыщения в активный режим работы; время рассасывания заряда базы минимальное. [14]
РБЭ напряжение на коллекторном переходе также станет отрицательным [ / КБ0), и ток коллектора сменит направление на обычное, наступит активный режим работы, при котором ток базы определяется разностью / Б / э - / к - Для этого бывает достаточным напряжение UK3 - 1 В. При дальнейшем увеличении ( по модулю) коллекторного напряжения ( например, до UK3 - 5 В) базовая характеристика незначительно смещается веерообразно вправо. В справочниках обычно приводят две базовые характеристики: при [ / кэ0 и U кэ-5 В. Все остальные характеристики, снятые при t / K3 1 В, незначительно отличаются от последней. [15]
Страницы: 1 2 3