Активный режим - работа - транзистор
Cтраница 1
Активный режим работы транзистора характеризуется тем, что из-за наличия обратного напряжения коллекторный переход перехватывает практически все носители заряда, подходящие к его границе. Лишь немногие носители отклоняются от направления, перпендикулярного эмиттерному переходу, и некоторые из них рекомбинируют на поверхности. [1]
Активный режим работы транзистора характеризуется тем, что из-за наличия обратного напряжения коллекторный переход перехватывает практически все носители заряда, подходящие к его границе. Лишь немногие носители отклоняются от направления, перпендикулярного эмиттерному переходу, и некоторые из них реком-бинируют на поверхности. [2]
Активный режим работы транзистора в ключевом применении имеет место на фронтах переходного процесса переключения и характеризуется прямым смещением одного из переходов. При прямом смещении эмит-терного перехода активный режим называется нормальным. То есть в этом режиме эмиттер и коллектор транзистора выполняют свойственные им функции инжекции и собирания носителей тока. Несимметрия реальной структуры не располагает к свойству обратимости функций переходов, и, как правило, схемное инверсное включение транзистора на практике применяется крайне редко. Однако возможна физическая инверсия функций переходов, например, в процессе запирания биполярною транзистора очень большим отрицательным током базы, когда первым восстанавливает запирающие свойства эмиттерный переход при прямом смещении на коллекторном. [3]
Рассмотрим нормальный активный режим работы транзистора. [4]
При активном режиме работы транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, входным является ток базы, выходным - ток коллектора. [5]
При активном режиме работы транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, входным является ток базы, выходным-ток коллектора. [6]
Несмотря на активный режим работы транзистора 7 и включение обмоток трансформатора, обеспечивающее необходимую фазировку импульсных составляющих базового и коллекторного напряжений, колебания в схеме не возникают. Обусловлено это тем, что цепь базовой обмотки трансформатора Тр в рассматриваемом случае разомкнута. Результирующее сопротивление в цепи базовой обмотки очень велико. [7]
Поскольку в активном режиме работы транзистора выделение тепла происходит в меньших по объему областях, этот режим является более критичным, и он будет принят за основу при расчетах тепловых сопротивлений приборов. [8]
По аналогии с нормальным активным режимом работы транзистора выразим уравнение вольт-амперной характеристики базо-коллекторного перехода через характерную точку / Б, U & K, где Б - то же значение тока базы, которое характеризует точку с координатами / Б, f / бэ Для базо-эмиттерного перехода транзистора, работающего в нормальном активном режиме. [9]
Высокое быстродействие ИС обеспечивается активным режимом работы транзисторов Tl, T2 и ТЗ. [10]
 |
Временные зависимости тока базы и тока коллектора при включении транзистора по схеме с ОБ ( а и распределение носителей в базе транзистора ( б, 114. [11] |
При / э О с увеличением эмиттерного тока быстро возрастает и коллекторный ток / к - это активный режим работы транзистора. Наконец, когда рабочая точка на нагрузочной характеристике достигает точки перегиба статических выходных характеристик, дальнейшее увеличение тока / э уже не вызывает роста коллекторного тока / к, транзисторный ключ полностью открылся и транзистор работает в режиме насыщения. [12]
В 0; ( / к6 5 - 0 65 4 35В 0; Режим t / э - 0 и UK (, 0 соответствует активному режиму работы транзистора. [13]
В активном режиме работы транзистора при больших токах могут измениться условия на коллекторном переходе. [14]
В активном режиме работы транзистора при больших токах могут измениться условия на коллекторном переходе. Это связано ( см. § 1.10) с насыщением дрейфовой скорости движения носителей. Такое явление влечет за собой перераспределение носителей в базе. Если для бездрейфовых транзисторов из-за значительного градиента концентрации носителей во всей базе и обычно не очень больших плотностей токов влиянием такого перераспределения можно пренебречь, то для дрейфовых транзисторов оно может быть существенным. [15]
Страницы: 1 2