Ненасыщенный режим - работа - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Порядочного человека можно легко узнать по тому, как неуклюже он делает подлости. Законы Мерфи (еще...)

Ненасыщенный режим - работа

Cтраница 2


16 Схема типового ЭС Л - элемснта. [16]

Цифровые интегральные схемы ЭСЛ представляют собой транзисторные переключательные схемы с объединенными эмиттерами, обладающие по сравнению с ТТЛ-схемами большим быстродействием и большей потребляемой мощностью. Высокое быстродействие этих схем обусловливается реализацией ненасыщенного режима работы транзисторов и применением эмиттерных повторителей на выходе, а также уменьшением перепада выходною напряжения.  [17]

Рассмотренные схемотехнические решения базовых логических элементов, предусматривающие использование БТ, имеют один общий принципиальный недостаток. Этот недостаток заключается в том, что переключательный транзистор в этих схемах работает в режиме насыщения. Глубокое насыщение БТ, имеющее место в схемах с непосредственными связями, или ограниченное с помощью диода Шотки, шунтирующего коллекторный переход БТ, в ДТЛ, ТТЛ и И2Л обусловливает накопление избыточного заряда неосновных носителей в рабочих областях БТ и в основном определяет время переходных процессов в схемах. Поэтому естественным представляется создание схем с ненасыщенным режимом работы переключательного транзистора.  [18]

Для типичного усилителя внутренний диаметр равен 2 5 мм, длина активного разряда равна 60 см и число Френеля для трубки приблизительно равно единице. Соленоид сделан с двумя обмотками, чтобы обеспечить плавное изменение осевого поля от максимума в одном направлении, через нулевое значение, до максимума в другом направлении. Усиление в центре линии необходимо измерять при различных уровнях входного сигнала от лазера-источника, чтобы облегчить выбор подходящего низкого значения входного сигнала. Такой выбор необходим для того, чтобы обеспечить ненасыщенный режим работы усилителя при измерении ширины линии выходящего излучения. Между усилителем и приемником может оказаться необходимым поместить несколько ослабителей.  [19]

Резисторно-транзисторная логика ( РТЛ) позволяет в одном корпусе получать от одного элемента ИЛИ-НЕ до полусумматора. ТЛ) позволяет повысить быстродействие схемы за счет форсирующих емкостей С. Диодно-транзистор-ная логика ( ДТЛ) обладает возможностью получать в одном корпусе от 2 - х И до 8-ми И-НЕ и универсального триггера. Примерно такие же возможности имеет транзисторная логика с эмиттерными связями ( ТЛЭС); благодаря ненасыщенному режиму работы транзисторов, она еще обеспечивает наиболее высокое быстродействие этих элементов, достигающее нескольких наносекунд.  [20]



Страницы:      1    2