Cтраница 5
Благодаря тому что вершина импульса формируется при работе транзистора в режиме глубокого насыщения, можно с помощью маломощных транзисторов получать токи в импульсе до сотен миллиампер или нескольких ампер, если только импульсы следуют с относительно большой скважностью. [61]
![]() |
Выходные параметры радиотехнических схем во временной области. [62] |
А - неравномерность вершины импульса; / - выброс в паузе импульса; т3 - запаздывание импульса, определяемое временем достижения половины установившегося значения высоты импульса или его амплитуды; тп - время длительности выброса, возникающего в паузе импульса. [63]
На передней части вершины импульса появляется выброс. [64]
![]() |
Переходные характеристики в области больших времен. [65] |
Для оценки искажений вершины импульсов пользуются переходной характеристикой за большой отрезок времени с сильно сжатым масштабом по горизонтали ( рис. 1.6), называемой переходной характеристикой в области больших времен. [66]