Резистор - небольшое сопротивление
Cтраница 1
Резистор гя небольшого сопротивления ограничивает ток коллектора при заряде времязадающего конденсатора Cj на допустимом для выбранного транзистора уровне. Аналогично конденсатор С2 заряжается через эмиттерный переход насыщенного транзистора Г2, ограничительный резистор rt и участок коллектор - эмиттер насыщенного транзистора T. По мере заряда конденсаторов зарядные токи уменьшаются. Ток коллектора каждого транзистора приближается к значению E / RH, ток базы уменьшается, стремясь к значению E / Rg. [1]
Для резисторов сравнительно небольших сопротивлений, рассчитанных на токи в несколько десятков миллиампер, используют тонкую проволоку из никелина, нихрома и некоторых других металлических сплавов. [2]
 |
Постоянные резисторы. [3] |
Для резисторов сравнительно небольших сопротивлений, рассчитанных на токи в несколько десятков миллиампер, используют тонкую проволоку из никелина, нихрома и некоторых других металлических сплавов. Для резисторов больших сопротивлении, рассчитанных на сравнительно небольшие токи, используют различные сплавы металлов и углерод, которые тонкими слоями наносят на изоляционные материалы. Эти резисторы называют непроволочными резисторами. [4]
 |
Простой омметр. [5] |
Подключи к щупам Rx ( на схеме они обозначены стрелками) резистор небольшого сопротивления, например 10 Ом. [6]
Для борьбы с паразитными колебаниями можно включить а цепь анода или сетки резистор небольшого сопротивления, однако радикальное средство состоит в том, чтобы на баллон лампы надеть кольцевой магнит, который своим полем искривит путь электронов и возвратит их на управляющую сетку. [7]
Геометрическая форма пленочных элементов должна быть по возможности простой, так как это упрощает их производство, увеличивает точность изготовления и надежность. Резисторы небольшого сопротивления выполняются линейными, а большого сопротивления - криволинейными. Устройство тонкопленочного линейного резистора показано на рис. 8.2. Для увеличения надежности и стабильности резистора необходимо правильно выбирать величину перекрытия рези-стивной пленки контактной площадкой. Оптимальной является величина перекрытия / min 0 15 - - 0 20 мм. [9]
 |
Схема измерения обратного тока полупроводникового диода.| Схема измерения обратного тока коллекторного перехода / к о. [10] |
Измерение параметров часто производят на низких частотах - порядка 200 - 400 гц, источниками колебаний которых являются встроенные транзисторные генераторы; результаты таких измерений дают активные составляющие параметров, что для многих практических случаев оказывается достаточным. Для испытаний транзисторов на высоких частотах обычно используются внешние высокочастотные генераторы; при этом измеряют коэффициент; или р1, емкость коллекторного перехода Ск, объемное сопротивление базы гб или постоянную времени коллекторной цепи гб Ск. Значения переменных составляющих токов определяются посредством измерения падений напряжений на калиброванных резисторах небольшого сопротивления, включенных в цепи этих токов, при помощи встроенного транзисторного милливольтметра с большим входным сопротивлением. Для испытания транзисторов различных типов предусматривают переключатель р-п - р - п-р - п, позволяющий изменять полярность напряжений на электродах проверяемого транзистора и полярность включения измерителя постоянного тока. [11]
В усилителе постоянного тока ( транзистор TZ) используют транзисторы с большим коэффициентом усиления по току, а в качестве регулируемого транзистора Т нужно выбрать транзистор, у которого допустимый ток коллектора превышает ток нагрузки стабилизатора. Если ток нагрузки превышает допустимый для данного транзистора, то применяют шунтирование его резистором или параллельное включение транзисторов. В последнем случае для равномерного распределения токов между транзисторами в цепи базы или эмиттера включают резисторы небольшого сопротивления. Коэффициент стабилизации составляет 50 - 80, а для получения больших его значений можно применить многокаскадные усилители постоянного тока. В некоторых случаях для повышения стабильности используют термокомпенсацию измерительного элемента. [12]
Электронные стабилизаторы на транзисторах по принципу действия не отличаются от ламповых. Регулируемый транзистор также может включаться последовательно с нагрузкой и параллельно ей. Основным отличием является полярность напряжения сигнала рассогласования, который в данном случае должен быть положительным. В усилителе постоянного тока ( транзистор Т2) используют транзисторы с большим коэффициентом усиления по току, а в качестве регулируемого транзистора Ti выбирают транзистор, у которого допустимый ток коллектора превышает ток нагрузки стабилизатора. Если ток нагрузки превышает допустимый для данного транзистора, применяют шунтирование транзистора резистором или параллельное включение транзисторов. В последнем случае для равномерного распре-деления токов между транзисторами в цепи базы или эмиттера включают резисторы небольшого сопротивления. При больших выходных напряжениях иногда применяют последовательное включение нескольких регулируемых 5.22 транзисторов. [13]
Электронные стабилизаторы на транзисторах по принципу действия не отличаются от ламповых. Регулируемый транзистор также может включаться последовательно с нагрузкой и параллельно ей. Основным отличием является полярность напряжения сигнала рассогласования, который в данном случае должен быть положительным. В усилителе постоянного тока ( транзистор Г2) используют транзисторы с большим коэффициентом усиления по току, а в качестве регулируемого транзистора Т t должен выбираться транзистор, у которого допустимый ток коллектора превышает ток нагрузки стабилизатора. Если ток нагрузки превышает допустимый для данного транзистора, применяют шунтирование его резистором или параллельное включение транзисторов. В последнем случае для равномерного распределения токов между транзисторами в цепи базы или эмиттера включают резисторы небольшого сопротивления. [14]
Страницы: 1