Остальной резистор
Cтраница 3
Резисторы ВС - высокой стабильности, углеродистые, токопро-водящим слоем в которых является углерод, нанесенный на поверхность керамического стержня. Резисторы ВС имеют семь видов номинальных мощностей: 0 125; 0 25; 0 5; 1; 2; 5; 10 Вт. Величина мощности рассеивания резисторов ВС-0125; 0 25 и 0 5 Вт определяется по их габаритным размерам, а величина мощности рассеивания остальных резисторов маркируется на корпусе. [31]
Собранный предусилитель должен быть налажен. Без подбора транзисторов очень трудно устранить расхождение в частотных характеристиках каналов. Рекомендуется также подобрать в пары с точностью не менее 5 % конденсаторы и резисторы цепей коррекции. Остальные резисторы и конденсаторы могут иметь 10 % - ное отклонение от номинальных значений. [32]
 |
Эквивалентная схема одно-каскадного УПТ. [33] |
Для того чтобы на резисторах Rlt Rz не терялась заметная доля выходного напряжения, их сопротивление должно быть возможно меньшим. Исходя из этого соотношения определяют сопротивление делителя RiRz. Сопротивления остальных резисторов ( Ra, Rc и RK) рассчитывают так же, как и в усилителях с резисторно-емкостной связью. [34]
На плате запоминания М5 - 3 расположены шесть резисторов Rl - R6 предварительной настройки на принимаемую программу и устройство стабилизации напряжения настройки. От включенной ячейки на соответствующий резистор платы М5 - 3 поступает стабилизированное напряжение настройки. При этом резистором можно установить напряжение настройки от 0 8 до 28 В, необходимое для варикапов, расположенных в селекторах каналов. Диоды АЫЗ ( VD1 - VD6) предотвращают шунтирование выхода включенного переменного резистора памяти остальными резисторами. Диод VD9 обеспечивает стабильность напряжения настройки при изменении температуры. На вход устройства стабилизации с контакта 3 разъема Х12а поступает напряжение 50 В. Цепь R8, С2 образует фильтр в цепи напряжения настройки. [35]
В то же время вольтметр показывает разность потенциалов на концах этого резистора. Разделив показания вольтметра на показания амперметра, получим сопротивление этого резистора. Аналогично определяются сопротивления остальных резисторов. [36]
Наибольшая погрешность обусловлена неточностью процесса диффузии. При изготовлении ИМС чрезвычайно сложно поддерживать необходимые концентрации атомов примеси и глубины диффузионных слоев. Этим определяется точность получения заданного значения удельного поверхностного сопротивления диффузионного слоя, малые изменения которого могут вызвать заметные отклонения сопротивления резистора от номинального значения. Кроме того, на точность получения номинала резистора влияет точность процессов фотолитографии. Для резисторов с узкой диффузной полоской влияние ошибок выражается сильнее, чем для резисторов с более широкой полоской. Следовательно, проектирование диффузионного резистора предполагает ряд компромиссов и оптимальных решений, которые часто требуют использования более широких и длинных резистивных полосок, что позволяет уменьшить пределы допусков. Однако несмотря на трудности обеспечения малых пределов допусков на номинальные значения сопротивлений резисторов, малые пределы допусков на отношения номиналов получают сравнительно легко. Например, в процессе диффузии, предназначенной для изготовления резистора с номинальным сопротивлением 10 кОм и точностью 5 %, могут быть получены резисторы с номинальными значениями сопротивлений, равными 5 и 15 кОм и с той же точностью. Причина этого заключается в том, что отклонения в процессе изготовления-влияющие на номинальные значения сопротивлений одних резисторов, будут аналогичным образом влиять и на все остальные резисторы, расположенные на той же подложке. [37]
При расчете и проектировании резистора следует учитывать, что его номинальное сопротивление не может быть определено заранее с высокой степенью точности при массовом производстве полупроводниковых ИМС. Это вызвано многими факторами. Наибольшая погрешность обусловлена неточностью процесса диффузии. В процессе производства чрезвычайно сложно поддерживать необходимые концентрации атомов примеси и глубины диффузии. Это определяет точность получения заданной величины удельного поверхностного сопротивления диффузионного слоя, малые изменения которого могут вызвать заметные отклонения сопротивления резистора от номинального значения. Кроме того, на точность получения номинального сопротивления влияет точность процессов фотолитографии. Для резисторов с узкой диффузионной полоской влияние ошибок выражается сильнее, чем для резисторов с более широкой полоской. Следовательно, проектирование диффузионного резистора предполагает ряд компромиссов и оптимальных решений, которые часто требуют использования более широких и длинных резистивных полосок, что позволяет уменьшить пределы допусков. Однако, несмотря на трудности обеспечения малых пределов допусков на номинальные сопротивления резисторов, малые пределы допусков на отношения номиналов получают сравнительно легко. Например, в процессе диффузии, предназначенной для изготовления резистора с номинальным сопротивлением 10 кОм и точностью 5 %, могут быть получены резисторы с номинальными сопротивлениями 5 и 15 кОм и с той же точностью. Причина этого заключается в том, что отклонения в процессе изготовления, влияющие на номинальное сопротивление одного резистора, будут аналогично влиять и на все остальные резисторы, расположенные на той же подложке. [38]
Страницы: 1 2 3