Объемный резистор
Cтраница 3
Токопроводящий слой объемного резистора представляет собой композицию из проводящей среды, наполнителя и связки. В качестве проводящей среды применяют углерод в виде сажи или графита. Наполнителем может служить кварцевый песок, стеатит, глина, асбест или абразивный порошок окиси хрома. Лучшим наполнителем для получения высокой стабильности сопротивления то-копроводящего слоя являются алунд и кракс. [31]
Для полупроводниковых ИМС объемные резисторы более технологичны, чем пленочные, так как создаются одновременно с остальными элементами микросхемы. Однако они характеризуются большим разбросом параметров, сильной температурной зависимостью сопротивления и существенными паразитными эффектами. Размеры полупроводниковых резисторов, даже при сопротивлении порядка нескольких килоом, значительно превышают размеры транзисторов. Так как сопротивление объемных резисторов не превышает нескольких десятков килоом, то при создании ИМС с повышенной степенью интеграции стремятся уменьшить количество резисторов в схеме или совсем исключить их. [32]
Для полупроводниковых ИС объемные резисторы более технологичны, чем пленочные, так как создаются одновременно с остальными элементами микросхемы. Однако они характеризуются большим разбросом параметров, сильной температурной зависимостью сопротивления и существенными паразитными эффектами. Размеры полупроводниковых резисторов, даже при сопротивлении порядка нескольких килоом, значительно превышают размеры транзисторов. Так как сопротивление объемных резисторов не превышает нескольких десятков килоом, то при создании ИС с повышенной степенью интеграции стремятся уменьшить количество резисторов в схеме или совсем исключить их. [33]
Для полупроводниковых ИМС объемные резисторы более технологичны, чем пленочные, так как создаются одновременно с остальными элементами микросхемы. Однако они характеризуются большим разбросом параметров, сильной температурной зависимостью сопротивления и существенными паразитными эффектами. Размеры полупроводниковых резисторов, даже при сопротивлении порядка нескольких килоом, значительно превышают размеры транзисторов. Так как сопротивление объемных резисторов не превышает нескольких десятков килоом, то при создании ИМС с повышенной степенью интеграции стремятся уменьшить количество резисторов в схеме или совсем исключить их. [34]
Высокой надежностью обладают объемные резисторы типа ТВО. Они теплоустойчивы, способны выдерживать большие кратковременные перегрузки, но недостаточно стабильны. Резисторы типа МЛТ более надежны, чем резисторы типа ВС, но у них с увеличением номиналов возрастает интенсивность отказов. Наиболее ненадежны среди резисторов с постоянным сопротивлением проволочные, и их следует применять только в крайних случаях. Ненадежны также регулируемые резисторы. [36]
 |
Зависимость коэффициента интенсивности отказов конденсаторов от окружающей температуры и электрической нагрузки. [37] |
Высокой надежностью обладают объемные резисторы типа ТВО. Они теплоустойчивы, способны выдерживать большие кратковременные перегрузки, но недостаточно стабильны. [38]
Постоянные тепло - и влагостойкие объемные резисторы типа ТВО ( рис. 5, е) имеют изолированный токопроводящий слой; номинальные мощности рассеяния от 0 125 до 20 0 вт; предельные значения номинальных сопротивлений от 3 ом до 510 ком и от 10 ом до 1 Мом; допускаемые отклонения от номинала 5, 10 и 20 %; вес от 0 2 Г и более. Резисторы предназначены для работы в цепях постоянного и переменного токов в непрерывных и импульсных режимах. [39]
Основная проблема, связанная с применением объемных резисторов, заключается в том, что обычно требуются дополнительные операции по изоляции, необходимые для развязки резисторов от других размещенных на кристалле кремния элементов. Если не требуется создавать изолирующие переходы, то уменьшается распределенная емкостная связь. [40]
 |
Температурная зависимость сопротивления лакосажевых композиций с сажами, различающимися величиной а.| Температурная зависимость сопротивления металлостеклянных пленок ( толщина 25 мкм. [41] |
Керметные композиции используются и в виде объемных резисторов таблеточного типа для микромодулей. [42]
Большое поперечное сечение подковки улучшает условия теплоотдачи, поэтому переменные объемные резисторы по номинальной мощности значительно превосходят тонкопленочные поверхностные таких же размеров. Кроме того, выпускаемые промышленностью объемные резисторы СПО на неорганической связке отличаются от тонкопленочных повышенной влагостойкостью и малыми размерами. [43]
Для того чтобы избежать отражения от нагрузки фидера ( объемного резистора), ей придают клинообразную форму. Стандартные эквиваленты антенн оформляются в виде отдельной секции коаксиальной линии или волновода. [44]
 |
ЯС-генератор в твердотельном исполнении. [45] |
Страницы: 1 2 3 4