Cтраница 2
Как можно видеть на рисунке, с увеличением частоты максимумы коэфициента потерь расширяются, а подъемы кривых диэлектрическая постоянная - температура становятся более пологими; такое поведение характерно для систем, в которых имеет место распределение времен релаксации. Расчет данных показывает, что для поливи-нилацетата распределение значительно уже, чем для поливинилхлорида, что вытекает также из относительной резкости максимумов потерь как функции часто - 22 - 5 ты. [16]
Кривые радиального распределения атомной плотности для тонкой пленки воды имеют достаточно резкие максимумы и минимумы. С утонь-шением водной пленки происходит некоторое перераспределение в расположении молекул воды. Достаточная резкость максимумов, с увеличением атомной плотности и появление максимумов, соответствующих следующим координационным сферам, указывает на образование на поверхности слюды тонкой пленки воды со структурой, приближающейся к кристаллической. [17]
Однако этот эффект справедлив для любой средне-шероховатой поверхности и сам по себе еще не может объяснить лунный закон рассеяния. Узость лунного фотометрического максимума требует, чтобы поверхностный материал был решетчатым, с глубокими туннелями, расходящимися по всем направлениям. В этом случае, если наблюдатель смотрит параллельно падающим лучам, он видит освещенные стороны и дно этих туннелей, а когда источник света уходит из-за головы наблюдателя, днища этих туннелей оказываются в тени. Резкость максимума лунного закона рассеяния требует, чтобы глубина ямок или туннелей была больше, чем ширина. Тот факт, что лунная поверхность рассеивает свет строго назад даже при почти скользящих углах наблюдения, требует, чтобы оси туннелей были распределены почти изотропно. Поскольку эффект обратного рассеяния обусловлен тенями, частицы лунного материала должны быть слабо отражающими и непрозрачными; если бы частицы были полупрозрачны, свет, просачивающийся сквозь них, делал бы поверхность слишком яркой при больших фазовых углах; если бы их альбедо было слишком высоким, многократное отражение световых лучей заполнило бы тени. [18]
Во-первых, тепловая обработка стекол при постоянных температурах ведет к постепенному росту кристаллитов обоих составов - кристобалита и метасиликата натрия. Это иллюстрируется рис. 11.146 и 11.147, на которых изображены кривые интенсивности исходных, гретых и рас-стеклованных стекол одних и тех же составов. Легко заметить общую тенденцию кривых рассеяния натриевосиликатных стекол, независимую от состава последних: после нагревания увеличивается резкость всех максимумов и появляются новые максимумы при больших углах скольжения. На рис. 11.148 приведены кривые рассеяния стекла состава метасиликата, полученные путем размывания соответствующей кривой соединения Na20o - Si02 в предположении, что кристаллиты имеют размер 7 5, 10 и 12 А. Изменение резкости максимумов на кривых интенсивности гретых стекол по сравнению с аналогичными максимумами исходных стекол, и сходство кривых на рис. 11.146 и 11.148, по мнению упомянутых авторов, свидетельствуют о росте кристаллитов при тепловой обработке и подтверждает таким образом кристаллитную гипотезу. [19]
Параллельно со сжатием электронных облаков, связанным с переходом от одного металла каждой па ры к другому, обнаруживается соответствующее возрастание межатомных расстояний в кристаллических решетках. Иными словами, хотя ионы цинка отстоят друг от друга дальше, чем ионы меди, можно считать, что электродные облака, повидимому, более тесно связаны с каждым ионом цинка, чем с каждым ионом меди. Можно ожидать, что дисперсионные силы притяжения, характерные для ван-дер-ваальсового взаимодействия, будут большими в случае меди, так как наряду с тем, что молекулы адсорбированного вещества будут находиться несколько ближе к ионам меди и связываться с большим числом последних в расчете на единицу площади поверхности, можно также ожидать, что ионная поляризуемость поверхности меди будет большей, чем ионная поляризуемость поверхности цинка. Все эти эффекты находятся в качественном согласии с тем опытным фактом, что теплотй адсорбции на октаэдрических поверхностях меди превышает, хотя и в небольшой степени, теплоту адсорбции на октаэдрических поверхностях цинка. Влияние поверхностных атомных конфигураций на резкость максимумов на кривых теплота адсорбции - степень покрытия, верятно, косвенным образом зависит также от распределения электронов на поверхности. [20]