Cтраница 2
При охлаждении системы, содержащей 60 % Si, до 1000 некоторое количество кремния выделяется в виде кристаллов. Для определения количества твердой и жидкой фазы применяется правило рычага. Вес кристаллов кремния так относится к весу жидкой фазы, как отрезок пр относится к отрезку рс. [16]
При охлаждении системы, содержащей 60 % Si, до 1000 К некоторое количество кремния выделяется в виде кристаллов. Для определения количества твердой и жидкой фаз ы применяется правило рычага. Вес кристаллов кремния так относится к весу жидкой фазы, как отрезок пр относится к отрезку рс. [17]
При охлаждении системы, содержащей 60 % Si, до 1000 К некоторое количество кремния выделяется в виде кристаллов. Для определения количества твердой и жидкой фазы применяется правило рычага. Вес кристаллов кремния так относится к весу жидкой фазы, как отрезок пр относится к отрезку рс. [18]
В тройной эвтектической точке соприкасаются три поверхности ликвидуса, и в ней происходит одновременная кристаллизация трех твердых фаз: А, В и С. Так как система при этом состоит из четырех фаз и находится в нонвариантном равновесии, то отнятие от нее тепла сопровождается только увеличением количества твердой эвтектики; температура системы остается неизменной. Путь кристаллизации при этом вырождается в точку, совпадающую с полюсом кристаллизации и тройной эвтектической точкой. Общее количество образовавшейся тройной эвтектики ( твердой) будет равно весу жидкой фазы, достигшей при охлаждении эвтектической температуры. [19]