Первый резонанс

Cтраница 1

Первый резонанс соответствует истинной толщине стенки. Он определяется, когда измеритель толщины стенок прокручивается от меньших значений к большим. При измерении с более высокими частотами не возникает побочных резонансов. Кроме того, максимум получается более отчетливо выраженным и поэтому может быть легче настроен. [1]

Первый резонанс в сечении рассеяния электронов молекулами бензола наблюдается в области 1 - 2 эв [40] - электрон захватывается на первую незанятую я-орбиталь, квазистационарный уровень отделен от сплошного спектра / - волновым барьером. Диссоциативный захват электронов не может осуществляться при такой энергии - наблюдается только резонансное упругое и неупругое рассеяние электронов. [2]

Первый резонанс при со 24 1 дает совсем небольшое увеличение амплитуд как в результате больших сил трения, так и в результате сравнительно большой величины знаменателя. При втором резонансе ( со 41 7) знаменатель меньше и пики амплитуд выявляются резче. [3]

Если первый резонанс наступает в разомкнутой линии при ее длине / ЯУ4, что соответствует длине симметричного вибратора / Я. [4]

При первом резонансе ( р-ч) 2) соотношение амплитуд и фаз будет примерно такое, как показано на рис. 388, а. Оба маятника ходят в фазе, но угол отклонения длинного маятника больше; частота а2 близка к собственной частоте одного длинного маятника, он колеблется с частотой, близкой к своей собственной, и с этой же частотой таскает за собой короткий маятник, собственная частота которого значительно выше; сила пружины г) действует на короткий маятник в фазе с его колебаниями; пружина оказывается больше всего растянутой в положении, которое показано на рис. 388, а, и будет иметь наибольшее сжатие через половину периода. [5]

График зависимости коэффициента перепада kn от параметра Vo. [6]

В области первого резонанса величина kn достигает минимума, а в зарезонансной области возрастает и при некоторых условиях может быть больше единицы. [7]

Так, если первый резонанс при декременте затухания, равном А 0 01, практически можно реализовать при амплитуде периодической силы Р0, составляющей менее одного процента от критической силы Ркр, то возникновение второго резонанса ( при со О) оказывается возможным лишь при значении амплитуды периодической силы в 17 раз большей. [8]

Так, например, первый резонанс при Т 190 Мэв ( 7 160 Мэв) наблюдается также при фоторождении и-мезонов. [9]

Эквивалентная схема. [10]

V / Cj) наступает первый резонанс паралл. [11]

Если р мало, то первый резонанс весьма низкочастотен и его можно найти, разлагая бесселевы функции в ряды. [12]

Из этой характеристики видно, что первым резонансом является последовательный резонанс, образованный элементами CiC L, а вторым-параллельный резонанс, образованный элементами CiL. Исходя из этого, сначала в схеме на рис. 29 6 настраиваем контур CiL на частоту / 2 ( рис. 33), а затем включаем настроенный контур CtL в схему настройки на рис. 29 8, заменив конденсатор С2 расчетной емкостью и ME. При этом методика настройки зчшлогична варианту настройки по схеме на рис. 29 а, рассмотренному выше. [13]

Как видно из рис. 5.18, частота первого резонанса токов совпадает с частотой резонанса для контура L. [14]

В противоположность этому, при противофазных возбуждениях, первый резонанс становится незаметным. Система находится почти в условиях статического равновесия обеих внешних сил, сжимающих участок 12, они же сильно раскачивают парциальную систему двух масс без подвески во втором резонансе, характерном для этого участка. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5