Результат - приложение
Cтраница 1
Результаты приложения могут быть использованы для получения произвольно близких к А ( а, р) и В ( о, р) приближенных значений. [1]
Результаты приложения рефрактометрии для ее исследования весьма наглядно демонстрируют возможности рефрактометрического метода и особенности подхода различных авторов к интерпретации рефрактометрических данных. Измерения, выполненные с точностью до пятого десятичного знака [65], опровергли утверждения других исследователей [29, 40] о существовании в системе КС1 - CdCl2 - H20 трех максимумов отклонений от аддитивности, якобы соответствующих обнаруженным иными методами трем комплексным хлоридам калия и кадмия, и, таким образом, продемонстрировали малую чувствительность и ненадежность рефрактометрии как средства изучения ком-плексообразования в растворах. Авторы работ, ценность которых оказалась под сомнением, неоднократно вновь обращались к исследованию этой системы [35, 56, 57], но существование лишь одного максимума An подтвердилось, и никаких указаний на возможность обнаружения нескольких существующих в этой системе комплексных соединений получено не было. В более новых публикациях этих школ уже не фигурируют заведомо неверные правила аддитивности, но тезис о малой перспективности рефрактометрии для изучения слабых взаимодействий в гомогенных системах не принимается, а допущенные ранее ошибки рассматриваются как случайные и несущественные. [2]
Результатом приложения ММП к линейной зависимости у а Ьх при равноточных х и у ( sXi const sy будет прямая ортогональной регрессии, поскольку в данном случае минимум функционала (8.64) одновременно отвечает минимуму суммы квадратов отклонений точек от прямой, измеряемым не по вертикали, а по опускаемым на прямую перпендикулярам. Вычислительные формулы ортогональной регрессии [246, 255] более сложны, чем для линейного МНК, однако, в отличие от уравнений (8.62), не требуют итерационной процедуры. [3]
Из результатов Приложения к § 6 легко вытекает, что обе формы соответствуют некоторым поверхностям типа КЗ. [4]
Рассмотрение результатов приложения теории алгебраических систем к классификации иерархии структур молекул и твердых тел, выполненное на основании наших многолетних экспериментальных исследований по химии, физике, квантовой механике и химии, технологии материалов, указывает, что моделирование алгебраическими системами многочисленных природных явлений, разработки человеком технологических процессов, отсутствующих в природе, и распространение этого моделирования на биосферу и общество сможет открыть новые удивительные закономерности эволюции систем в природе ( неживой и живой), а также развития биосферы и ноосферы. [5]
В результате приложения к образцу внешних сил в кристаллах возникают смещения атомов не только на целое число позиций, но сохраняется также и некоторое искажение кристаллической решетки, Следовательно, наряду с пластической деформацией существует и упругая. Пластическая же деформация, понятно, не восстанавливается. [6]
В результате приложения этого метода к сернистым концентратам, а там, где они не выделены, - к фракциям бицпклических ароматических углеводородов, были: получены данные ( см. табл. 13), имеющие ориентировочный характер ( ввиду неполного отделения сернистых соединений от углеводородов), на основании которых можно допустить, что сернистые соединения, содержащиеся в сернистых концентратах, в основном, относятся к следующим трем типам: сернистые соединения ряда алкил-замещенпых тиофенов, ряда жирноароматических сульфидов п ряда бензотиофена. [7]
В результате приложения к пластине внешней растягивающей нагрузки ( с последующим ее снятием), сварочные напряжения уменьшаются в п раз. Величина п для различных участков имеет одинаковые значения. [8]
В результате приложения к пластине внешней растягивающий нагрузки ( с последующим ее снятием), сварочные напряжения уменьшаются в п раз. Величина п для различных участков имеет неодинаковые значения. [9]
В результате приложения к образцу внешних сил в кристаллах возникают смещения атомов не только на целое число позиций, но сохраняется также и некоторое искажение кристаллической решетки. Следовательно, наряду с пластической деформацией существует и упругая. Пластическая же деформация, понятно, не восстанавливается. [10]
В результате приложения к пластине внешней растягивающий нагрузки ( с последующим ее снятием), сварочные напряжения уменьшаются в п раз. Величина п для различных участков имеет неодинаковые значения. [11]
В результате приложения к эмиттерному переходу прямого напряжения начинается усиленная диффузия ( инжек-ция) дырок из эмиттера в базу. [12]
 |
Электродная структура и ориентация осей кристалла в модуляторе ЭПОС. [13] |
В результате приложения напряжения к электродам в кристалле создается периодическое знакопеременное поле большой напряженности. Чувствительность при записи синусоидальной решетки с vc 5 лин / мм S - l 50 мДж / см2, а максимальная дифракционная эффективность достигала нескольких процентов. [14]
 |
Схема к определению кои-турных давлений в подшипнике сколь, жения. [15] |
Страницы: 1 2 3 4