Cтраница 1
Наиболее простой результат получается, когда скорость реакции описывается уравнением первого порядка wv-kcs, где cs - концентрация на поверхности раздела фаз. Примем также, что поверхность равнодоступна. [1]
Наиболее простой результат получается, когда скорость реакции описывается уравнением первого порядка wp kcs где cs - концентрация на поверхности раздела фаз. Примем также, что поверхность равнодоступна. [2]
Наиболее простые результаты получаются на основе использования подхода Дэвидсона. В этой модели предполагается, что порозность постоянна всюду вне газового пузыря. При таком допущении давление газа является гармонической функцией координат и не зависит от движения твердых частиц. Граничное условие для давления газа ( постоянство давления) удовлетворяется на всей поверхности пузыря. [3]
В разд: 9.5 были изложены лишь наиболее простые результаты, чтобы дать представление об использовании теории разложения из гл. [4]
В настоящем параграфе используется выражение ( 16.28 а), так как оно приводит к наиболее простым результатам. Кроме того, при использовании этой эквивалентной схемы не обязательно знать электронную составляющую входной проводимости, чтобы определить четыре характеристических шумовых параметра и коэффициент шума. [5]
Однако, ни одна из этих гипотез пока не подтверждена в достаточной степени экспериментом, и поэтому с целью получения наиболее простых результатов мы воспользуемся условием неизменяемости живой площади сечения оболочки, которым в практике часто пользуются и которое достаточно удовлетворительно оправдывается опытом. [6]
Правда, этой цели всегда можно добиться с помощью известных приемов но представляется целесообразным в каждом отдельном случае избрать те приемы, которые могут привести к наиболее простым результатам. [7]
Объектом исследования и иа этот раз был выбран гексаметилен, так как, ввиду полной симметрии строения этого углеводорода, можно было рассчитывать, что и здесь получатся наиболее простые результаты. Предварительный опыт показал, что действительно при кипячении гек-саметилона с азотной кислотой ( уд. Словом, не оставалось никакого сомнения, что это действительно закись азота. [8]
Разобранные механизмы хемосорбции, связанные с электронными переходами в полупроводниковых кристаллах, можно использовать для описания простейших механизмов каталитических реакций. Наиболее простые результаты при этом получаются, если адсорбируемые частицы являются одновалентными радикалами. В связи с этим в большинстве работ по электронным механизмам в катализе рассматриваются радикальные механизмы реакций. [9]
Вопросам существования и единственности решений стохастических дифференциальных уравнений посвящено много ра-гшт. В настоящем параграфе приведены лишь те наиболее простые результаты из [19], которые понадобятся для изложения элементов теории случайных возмущений динамических систем с последействием. [10]
Границы областей, внутри которых степень устойчивости была бы не меньше заданной, можно находить, применяя любые критерии устойчивости к смещенному уравнению, подобно тому, как, применяя различные критерии устойчивости к основному уравнению, можно строить области устойчивости. Для данной конкретной формы уравнения следует стремиться использовать те критерии, которые могут дать наиболее простой результат. [11]
Значение, которое в конце концов получает переменная z, как и прежде 4, однако здесь оно выражается через последовательность связываний. Общее правило таково: если требуется принять решение относительно того, какой из переменных следует присвоить значение другой переменной, то наиболее простой результат получается, когда в качестве присваиваемого терма выбирается переменная из отрицания. Указанное правило имеет также гораздо более глубокое обоснование, исходя из соображений экономии памяти в период исполнения в реализациях языка логического программирования. [12]
Отказавший элемент нужно обнаружить, отключить и отремонтировать или заменить другим элементом. Каждая из этих операций требует времени, а поскольку это время зависит от многих неизвестных факторов, длительность восстановления элемента в каждом случае приходится считать случайной величиной. Наиболее простые результаты получаются, если предположить, что время восстановления также подчиняется экспоненциальному закону распределения. [13]
Пока Any малы, генерация тока переходит из внешнекинетического режима во внутрикинетический режим. Ток в этом случае прямо пропорционален у. Если же Ld становится меньше б, то реализуется внешнедиффузионньга режим, и локальный ток в пределе не зависит от S. Наиболее простые результаты получаются в предельных случаях. [14]
Пока А и т малы, генерация тока переходит из внешнекинетического режима во внутрикинетический режим. Ток в этом случае прямо пропорционален у. Если же Ьл становится меньше 6, то реализуется Внешнедиффузионный режим, и локальный ток в пределе не зависит от S. Наиболее простые результаты получаются в предельных случаях. [15]