Непосредственная рекомбинация - электрон - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Демократия с элементами диктатуры - все равно что запор с элементами поноса. Законы Мерфи (еще...)

Непосредственная рекомбинация - электрон

Cтраница 2


Описанная простейшая схема энергетических уровней кристаллофосфоров учитывает существование перечисляемых ниже типов переходов, некоторые из которых сопровождаются излучением, другие служат его предварительной стадией. Таким образом, получается положительный заряд на уровне активатора. Процессы 3 -, 32 пЗя протекают очень быстро, так как движение электрона в полосе проводимости происходит со скоростью порядка 10е - К) 7 CMJCCK, определяемой тепловым состоянием вещества; такая скорость позволяет электрону быстро сближаться с ионизованным центром и рекомбинировать. Длительность пребывания электрона в полосе проводимости, невидимому, обычно не превышает 10 - 10 сек. Таким образом, непосредственная рекомбинация электронов из полосы проводимости с ионизованными центрами вызывает один из видов мгновенного свечения фосфоров.  [16]

Описанная упрощенная схема свечения фосфоров, несмотря на свою явную недостаточность, все же приводит к весьма сложной кинетике свечения кристаллофосфоров. Высвечивание в ной складывается из нескольких процессов, текущих в несколько этапов. Оно складывается из свечения, возникающего при непосредственной рекомбинации электронов, не имевших ни одной локализации, из свечения, возникающего-при рекомбинации электронов, претерпевших локализации на очень мелких уровнях, и, наконец, из свечения непосредственно возбужденных ионов активатора.  [17]



Страницы:      1    2