Интенсивная рекомбинация

Cтраница 1

Постоянная времени дуги в воздухе ( а и в элегазе. [1]

Интенсивная рекомбинация электрически заряженных частиц быстро понижает проводимость межконтактного промежутка и очень существенно повышает скорость увеличения его электрической прочности после погасания дуги. При этом при равном эффекте гашения дуги требуются гораздо меньшие количества эле-газа и меньшие давления, чем в воздушных выключателях. [2]

Интенсивная рекомбинация в прелое и отсутствие инжек-ции делают повышение концентрации носителей в области омического контакта редким явлением. [3]

II относительно интенсивная рекомбинация перекрывает любую скорость разветвления цепи [ 199, стр. [4]

Поскольку наиболее интенсивная рекомбинация наблюдается в областях эмиттерного перехода, граничащих с поверхностью, то качество обработки поверхности влияет на коэффициент передачи в микрорежиме. В области средних токов ( участок 2) коэффициент передачи достигает максимального значения. Для этой области третье слагаемое в (4.17) становится пренебрежимо малым, а два остальных слабо зависят от тока эмиттера. Область больших токов ( участок 3) соответствует высокому уровню инжекции, при котором проявляется несколько физических эффектов, не учтенных в (4.17): уменьшение удельного сопротивления базы, эффект оттеснения тока эмиттера, увеличение физической толщины базы ( эффект Кирка) и увеличение эффективного коэффициента диффузии электронов в базе. [5]

В режиме же насыщения интенсивная рекомбинация носителей происходит также в пассивных областях базы и на поверхности. Следовательно, введение независимой постоянной времени тн, характерной для работы транзистора в области насыщения, должно заметно повысить точность модели. [6]

Каналы поверхностных утечек образуются при интенсивной рекомбинации электронно-дырочных пар через непрерывный ряд энергетических состояний на поверхности полупроводника, возникших из-за нарушения валентных связей, а также при прохождении тока по загрязнениям в местах выхода р - - перехода на поверхность. [7]

Неискаженное ( а и искаженное ( б электрическое поле между заземленной поверхностью и нейтрализатором. [8]

При питании нейтрализатора переменным напряжением происходит интенсивная рекомбинация ионов - между объемными зарядами обоих знаков. Однако и в этом случае концентрация ионов обоих знаков оказывается достаточной, чтобы нейтрализовать поверхностный заряд на диэлектрике. [9]

Кроме того, в этой области перехода наблюдается наиболее интенсивная рекомбинация электронов и дырок, так как скорость рекомбинации пропорциональна произведению концентраций электронов и дырок, а они в рассматриваемой области одновременно велики. [10]

Реакция (1.XI) может играть существенную роль в суммарном процессе при интенсивной рекомбинации активных центров. [11]

Реакция (1.XI) может играть существенную роль в суммарном процессе при интенсивной рекомбинации активных центров. [12]

В отличие от режима прямого смещения, когда ширина области наиболее интенсивной рекомбинации носителей заряда мала по сравнению с Wd, а скорость рекомбинации в этой области почти постоянна, в режиме обратного смещения при повышении напряжения область наиболее интенсивной рекомбинации расширяется, и в конечном счете скорость рекомбинации становится постоянной почти во всем слое. [13]

Исходя из представленных результатов, можно предположить, что при термообработке происходит интенсивная рекомбинация активных центров образца, сопровождающаяся их качественным изменением. Возможно, в начальный период термообработки внутренние и периферийные активные центры испытуемых образцов взаимодействуют между собой с образованием наиболее устойчивой, с точки зрения термодинамического равновесия, и наивыгоднейшим способом упакованной структуры. При этом в идеальном случае практически все активные центры взаимно компенсируются. При повышении продолжительности термообработки происходит разрыв более прочных связей внутри образца, что приводит к появлению качественно новых центров, более стабильных при высоких температурах. Очевидно, различные воздействия на систему могут обеспечить необходимую степень ее активности и восприимчивости к технологическим факторам в процессе переработки. [14]

Электролюминесценция может быть получена и от так называемого инжекционного диода; здесь излучение обусловлено интенсивной рекомбинацией, в результате инжекции в полупроводник через р-п-пере-ход неосновных носителей тока. Для активирования применяют медь, сернистый кадмий и др. Инжекционные диоды как источники света имеют малую инерционность, время затухания может составлять 1СГ8 сек. Недостатком является невысокий квантовый выход. [15]

Страницы: 1 2 3 4