Излучательная рекомбинация
Cтраница 4
Для работы лазера необходимо преобладание вынужденной излучательной рекомбинации над поглощением квантов света. [46]
Кэррол и Малликен [167] исследовали излучательную рекомбинацию в состояния С3ПЦ и С / 3Пи, наблюдаемую в активном азоте при высоких давлениях и низких температурах. [47]
Клайн и Коксон [140] исследовали излучательную рекомбинацию Вг С1 и I C1, а также составили обзор результатов по другим галогенам. [48]
При низких температурах существенную роль играет излучательная рекомбинация, что позволяет создавать лазеры на основе халькогенидов свинца. [49]
В условиях теплового равновесия число актов излучательной рекомбинации равно числу актов поглощения квантов света равновесного теплового излучения. Поэтому полупроводник излучает ровно столько света ( и на тех же частотах), сколько поглощает из окружающего пространства. [50]
Сравнение этих выражений с аналогичными для излучательной рекомбинации (6.24) и (6.25) показывает их существенное отличие: времена жизни при ударной рекомбинации в легированных полупроводниках обратно пропорциональны квадрату равновесной концентрации носителей заряда, в то время как при излучательной рекомбинации они пропорциональны первой степени концентрации. [51]
Очевидно, что интенсивность бимолекулярного процесса излучательной рекомбинации электронов и дырок должна быть пропорциональна их произведению. [52]
Если предположить, что для характеристики излучательной рекомбинации неравновесных носителей может быть использован тот же коэффициент fи ( обоснование этого будет приведено ниже), то задача в основном может считаться решенной. Таким образом, если при рекомбинации через ловушки теоретическое вычисление интенсивности рекомбинации требует рассмотрения микроскопического ( интимного) механизма захвата электрона или дырки ловушкой, то излу-чательная рекомбинация может быть полностью рассчитана теоретически из общих термодинамических соображений с привлечением экспериментальных данных о поглощении. [53]
Следует отметить, что в случае излучательной рекомбинации свободных электронов и дырок при использовании большой концентрации носителей в вырожденных материалах в принципе может быть получено излучательное время жизни до КН сек. В этих условиях излучательная рекомбинация свободных электронов и дырок может конкурировать с обычной безызлучательной рекомбинацией через локальные центры. [54]
В основе принципа действия светодиодов лежит свойство излучательной рекомбинации - излучения квантов света при рекомбинации пар электрон - дырка. Рекомбинация наблюдается, если p - n - переход включен в прямом направлении. [55]
Здесь следует заметить, что вид спектров экситонной излучательной рекомбинации существенно меняется при изменении температуры образца. Спектральные линии экситонов с повышением температуры становятся шире вследствие увеличения кинетической энергии движущихся экситонов. Однако это положение справедливо только для свободно движущихся экситонов. Такие эк-ситоны наблюдаются в очень чистых полупроводниках. Если же в полупроводник введены примеси, то экситоны могут образовывать с атомами примеси так называемые экситонно-примесные комплексы. Связанный на примеси экситон локализован и не может перемещаться по кристаллу. Поэтому линии излучения связанных экситонов очень узкие, и ширина их не зависит от температуры. Если изменять тип примеси, то энергии, соответствующие линии экситонно-примесного комплекса, меняются. [56]
Очевидно, что для того чтобы имела место излучательная рекомбинация, соответствующая прямым переходам, необходимо, чтобы полупроводник имел соответствующую зонную структуру: экстремумы валентной зоны и зоны проводимости должны соответствовать одному и тому же значению волнового вектора. [57]
Поскольку электрон и дырка пространственно разделены, вероятность излучательной рекомбинации ( год) 1 определяется перекрытием их волновых функций. A является наибольшим из значений бо ровских радиусов донора и акцептора. [59]
Страницы: 1 2 3 4