Cтраница 2
При малых неравновесных концентрациях носителей ( небольших токах в светодиодах) рекомбинация через центры захвата будет преобладать над межзонной до тех пор, пока ловушечные уровни не будут достаточно заполнены. При этом значительное влияние на процессы рекомбинации оказывают не только глубина залегания и количество локальных центров рекомбинации, но и ширина запрещенной зоны полупроводника. Так, при уменьшении ширины запрещенной зоны вероятность межзонной излучательной рекомбинации возрастает. Сравнение экспериментальных и расчетных значений времени жизни для межзонной излучательной рекомбинации [1] указывает на достаточно хорошее совпадение только для полупроводников с малой шириной запрещенной зоны. Для полупроводников с большой шириной запрещенной зоны наблюдается существенное расхождение расчетных и экспериментальных данных. [16]
Формула (8.118) устанавливает фундаментальную связь спектров излучения и поглощения для кристалла. Особенности в спектре поглощения должны приводить к особенностям в спектре рекомбинационного излучения. Например, если коэффициент поглощения большой для данного полупроводника, то в данной спектральной области будет интенсивная излучательная рекомбинация. Это может, например, объяснить, почему в прямозонных полупроводниках интенсивность межзонной излучательной рекомбинации гораздо выше, чем в непрямозонных. [17]
Рассеяние энергии, выделяющейся при рекомбинации носителей, может осуществляться несколькими путями. При излучательной рекомбинации эне ргия уносится фотонами. Рекомбинационное излучение может быть обусловлено как прямыми, так и непрямыми переходами. Доля излучательной рекомбинации при малых уровнях инжекции велика у полупроводников с узкой запрещенной зоной, например у InSb. Кроме межзонной излучательной рекомбинации могут быть и излу-чательные переходы носителей на локальные уровни дефектов или примесей. [18]