Спин-решеточная релаксация

Cтраница 3

Время спин-решеточной релаксации Время спин-спиновой релаксации Время спин-решеточной релаксации электрона Время спин-решеточной релаксации ядра Обратная ширина линии ( Гц 1) Обозначение магнитной компоненты моды резонатора ( разд. [31]

Время спин-решеточной релаксации может быть оценено по добавочному уширению линии, из эффекта насыщения и по нестационарному сигналу после снятия насыщения. [32]

Время спин-решеточной релаксации 7 соответствует времени между такими актами рассеяния, которые вызывают изменение ориентации спина относительно внешнего магнитного поля. [33]

Время спин-решеточной релаксации зависит от многих факторов: температуры, вязкости среды и др. Время 7 тем короче, чем выше концентрация магнитных ядер в образце. Присутствие парамагнитных ионов и свободных радикалов сильно сокращает величину 7, поскольку неспаренные электроны отличаются большим магнитным моментом, в сотни раз превосходящим магнитные моменты атомных ядер. Большинство твердых тел и вязких жидкостей имеет большое время спин-решеточной релаксации, порядка нескольких часов. У жидкостей и газов значение 7 гораздо меньше - всего несколько секунд. [34]

Время спин-решеточной релаксации обычно не удается определить экспериментально ни для одного вещества, кроме, может быть, супермаллоя при высоких температурах. В этом случае ширина резонансной кривой и величина, обратная времени релаксации, увеличиваются при температурах, близких к точке Кюри, что может, быть объяснено температурной зависимостью взаимодействия с электронами проводимости. [35]

Время спин-решеточной релаксации в ЯМР может изменяться от 10 - 5 до 104 с и зависит от температуры образца, концентрации магнитных ядер и вязкости среды. При больших значениях Т тепловое равновесие может быть нарушено при достаточно большой мощности электромагнитного излучения. Интенсивность сигнала поглощения в спектре ЯМР при этом уменьшается, наступает насыщение. [36]

Время спин-решеточной релаксации в ЯМР может изменяться от 10 - 5 до 104 сек и зависит от температуры образца, концентрации магнитных ядер и вязкости среды. При больших Т тепловое равновесие может быть нарушено при достаточно большой мощности электромагнитного излучения. Интенсивность сигнала при этом уменьшается, наступает явление насыщения. [37]

Теория спин-решеточной релаксации Кронига - Ван Флека рассматривает два процесса, в результате которых энергия, запасенная в спин-системе, передается окружающей решетке. Это однофонон-ный или резонансный процесс и раман-процесс. Первый доминирует при гелиевых температурах, тогда как при более высоких температурах решающую роль играют двухфононные процессы. [38]

Время спин-решеточной релаксации Тг для радикалов, образующихся в облученных веществах, приблизительно равно 10 4 - т - - f - 10 - 5 сек. Подставляя это значение в (1.17), получим, что ширина линии АЯ должна быть 10 3 гс. Однако наблюдаемая ширина линий значительно больше этой величины. [39]

Теория спин-решеточной релаксации Кронига-Ван - Флека и расчет ширины бесфононных линий в оптических спектрах парамагнитных кристаллов - В сб. [40]

Зависимость скорости спин-родных и синтетических алмазах от. [41]

Время спин-решеточной релаксации азотных центров в алмазе относительно большое. [42]

Времена спин-решеточной релаксации исследуемых центров составляли несколько часов, поэтому и длительность насыщакщего импульса, и время прохождения через линию были меньше времени спин-решеточной релаксации. [43]

Рассмотрим сначала спин-решеточную релаксацию. Поскольку здесь Та велико, следует рассматривать взаимодействие каждой отдельной независимой частицы с решеткой. Возможны два пути обмена энергией между парамагнитной частицей и совокупностью осцилляторов, представляющих упругие колебания решетки. Первый - прямой, или резонансный, заключается в передаче кванта возбуждения спина тем колебаниям решетки, частота которых совпадает с частотой кванта. Вероятность такого однофононного перехода пропорциональна спектральной плотности колебаний ( фононов) решетки с этой резонансной частотой. [44]

Обсудим сперва спин-решеточную релаксацию. Поскольку молекулы содержат магнитные ядра, беспорядочное движение молекул приводит к тому, что эти ядра создают флуктуирующие магнитные поля. Если такое поле ориентировано должным образом и имеет соответствующую фазу ( для того чтобы совпасть с частотой прецессии), ядро из верхнего состояния может возвратиться в основное, передав часть своей избыточной энергии решетке в виде вращательной или поступательной энергии. Такой механизм спин-решеточной релаксации называется ядерным ди-польным взаимодействием. Полная энергия системы при таком процессе не изменяется, и эффективность релаксационного механизма зависит, во-первых, от величины локальных полей и, во-вторых, от. Можно определить величину, характеризующую скорость такого процесса и называемую временем спин-решеточной релаксации 7Y Большое значение Т указывает на малую эффективность этого процесса и большое время жизни возбужденного состояния. [45]

Страницы: 1 2 3 4