Дальнейшая релаксация

Cтраница 1

Дальнейшая релаксация обусловлена слиянием и расщеплением магнонов за счет дипольного взаимодействия, а также их взаимодействием с фононами. При этом сначала устанавливается равновесное значение М, а затем происходит поворот намагниченности к направлению Ндф. [1]

В процессе дальнейшей релаксации наступает статистич. Распад составного ядра не зависит от способа его образования. Тип распада определяется энергией возбуждения, утл. [2]

Выдержка в таких условиях не вызывает дальнейшей релаксации температурного момента, который в третьей расчетной точке складывается из двух частей - момента от длительного одностороннего нагрева и дополнительного момента от последующего замораживания противоположной грани элемента. [3]

Это позволяет предварительно выбрать остаточные деформации и снизить тем самым интенсивность дальнейшей релаксации пружины в условиях эксплуатации. [4]

T / Tf), где Тс - темп - pa Кюри ( Кюри точка), Дальнейшая релаксация обусловлена слиянием и расщеплением магнонов за счет дипольного взаимодействия, а также их взаимодействием с фононами. При этом сначала устанавливается равновесное значение М, а затем происходит поворот намагниченности к направлению Нэф. [5]

Электронная микрофотография, показывающая тонкую фибриллярную структуру полигексаметиленсебацинамида ( увеличено. [6]

В первой стадии горячей релаксации большие когезивные силы проявляются в белой плоскости ( см. рис. 231); при разделении структуры она изгибается и превращается в ленту. Дальнейшая релаксация ведет к образованию фибрилл в основных звеньях главной структуры. При последующей релаксации фибриллярная структура постепенно раскрывается и становится все более рыхлой, образуя, в конце концов, полностью релаксированную структуру. [7]

Влияние условий технологического процесса на усадочные свойства ПЭНП. [8]

Форма с продолговатой шейкой дает более сбалансированную усадку. В пузыре этой формы поперечное растяжение превалирует только ниже линии кристаллизации, а дальнейшая релаксация отсутствует. Таким образом, в пленке сохраняется высокий уровень ориентации в продольном направлении. [9]

В области нестационарного режима зависимость Н H ( i) выглядит совсем по-другому. Над третьим пределом воспламенения ( см. рис. 31, область D) она достигает пиковых значений и затем демонстрирует очень слабый излом ( почти плато) с дальнейшей релаксацией к конечному равновесному значению Н Нтах. [10]

Явно вычислить последнее выражение практически невозможно, так как это соответствует решению полной JV-частичной динамической проблемы. Однако можно ( как обычно) предположить, что если пространственное распределение W ( х) достаточно гладкое, а градиенты достаточно иалы, то в системе будет быстро устанавливаться локально равновесное распределение с параметрами п ( х; т), и ( х; т), Т ( х; т), медленно меняющимися в пространстве и во времени. Дальнейшая релаксация этого распределения к состоянию полного равновесия происходит значительно более медленно в соответствии с макроскопическими гидродинамическими законами. [11]

Как уже было отмечено, конформационно неравновесные состояния всех исследованных белков с повышением температуры релак-сируют к соответствующим равновесным состояниям еще до размораживания матрицы. Было найдено, например, что перед удалением аксиального лиганда из координационной сферы атома железа его ориентация меняется и атом железа удаляется от пор-фиринового кольца. Дальнейшая релаксация проходит через несколько промежуточных состояний. [12]

Так же как и для недеформированных кристаллов, можно ожидать, что низкотемпературная область отжига характеризуется главным образом снятием внутренних напряжений. Эта релаксация напряжений должна происходить в аморфных областях и сопровождаться незначительными изменениями в кристаллических областях. Напряжения в аморфных областях ориентированных материалов значительно выше, чем в неориентированных. Исследуя небольшие деформации полиэтилена низкой плотности ( удлинения 50 %) методом рассеяния рентгеновских лучей и двулучепреломления, Ода и Стейн [89] показали, что деформации кристаллитов предшествует ориентация аморфных областей. В зависимости от температуры метастабильное равновесие между деформацией кристаллов и ориентацией аморфных областей достигается через 0 1 с и через 100 с. В связи с этим нагрев образцов выше температуры вытяжки должен сопровождаться дальнейшей релаксацией напряжения. [13]

Возможная классификация типов вторичного свечения в зависимости. [14]

На больших, чем период волны, временах, но меньших времени рождения кванта колебания решетки Тф - 10 - 12 с, формируется излучение резонансного комбинационного рассеяния. В этом случае в системе фазовая память еще сохраняется. Но если в результате релаксации электронного возбуждения успевают родиться несколько фононов, то информация о фазе первоначального возбуждения теряется. В этом случае наблюдаемое свечение называют горячей люминесценцией. За время трел - 10 - 9 ч - 10 - 10 с первоначально возбужденное электронное состояние может релаксировать в низшее возбужденное состояние, в результате чего устанавливается новое квазиравновесное распределение населенностей, характеризуемое температурой решетки. Высвечивание из этих состояний является обычной люминесценцией и происходит с интенсивностью, превышающей на несколько порядков интенсивность горячей люминесценции. Если электронное возбуждение при спонтанных переходах попадает на так называемые метаста-бильные уровни, время жизни которых тзахв может составлять несколько часов и даже суток, то в результате дальнейшей релаксации из этих долгоживущих состояний мы наблюдаем излучение фосфоресценции. Таким образом видно, что в зависимости от того или иного типа промежуточных состояний, которые проходит квантовая система между актами поглощения фотона и его испускания, процесс вторичного свечения можно классифицировать по-разному. [15]

Страницы: 1