Cтраница 3
Однако значение энергии активации, определенное на начальной стадии деформирования из зависимостей In ( L / A) f ( ljT) и. В работах [108, 109] по температурной зависимости критического напряжения сдвига в Si при мягком уколе было найдено значение энергии активации U 0 84 0 1 эВ в температурном интервале Т 350 - 550 С. По-видимому, более низкие значения энергии активации для приповерхностных слоев материала по сравнению с деформацией их внутренних слоев в данном случае можно объяснить специфическими аномальными особенностями пластического течения вблизи свободной поверхности, о чем непосредственно свидетельствует образование у поверхности предпочтительно деформированного слоя с повышенным градиентом плотности дислокаций. Определенные нами значения энергии активации коррелируют с энергией образования одиночного перегиба, так как они почти в два раза меньше ( 1 1; 1 3; 1 38 эВ), чем энергия образования двойного перегиба, с которым обычно связывается движение дислокаций в кристаллах с высоким рельефом Пайерлса. [31]
Высокий рельеф выполняют в виде накладных деталей, макетируемых отдельно и устанавливаемых затем либо на специально подготовленные площадки, либо на подходящие места фоновой поверхности. Низкий рельеф макетируют ( вытягивают) из материала фоновой поверхности. Если получение низкого рельефа связано с набором большого количества материала ( например, при значительном перепаде высот), его детали также можно макетировать отдельно. Затем их накладывают на фоновую, поверхность и стыки заглаживают. Способ формирования рельефа на макете выбирают в зависимости от реальной технологии изготовления. Высокий рельеф получают сборкой по отдельности изготовленных деталей, низкий - литьем, штамповкой. [32]