Эллиптический рефлектор
Cтраница 1
Эллиптические рефлекторы обладают тем свойством, что лучи источника света, помещенные в одном из фокусов, после отражения собираются во втором фокусе, находящемся вне рефлектора ( фиг. [1]
 |
Принцип локальной пайки световым лучом. [2] |
Для этого лалую апертуру эллиптического рефлектора, необходимую для удобства работы, совмещают с большой апертурой системы в це-юм, что позволяет получать фокальное пятно малого диаметра. Световые лучи, отраженные от рефлектора, поступают на линзу эдновременно с прямым световым потоком от лампы. В результате рокальная область оказывается вытянутой вдоль оптической оси системы нагрева. [3]
Помимо параболических рефлекторов, в некоторых случаях используют также эллиптические рефлекторы, которые обеспечивают больший угол охвата, вследствие чего на рефлектор попадает большая часть светового потока лампы. [4]
Ксеноновая лампа и рубиновый стержень располагаются в двух фокусах эллиптического рефлектора. При этом свет от лампы фокусируется на стержне, и использование световой энергии лампы для накачки получается более полным. В ранних конструкциях лазеров ксеноновым лампам придавали форму спирали, внутри которой располагался рубиновый стержень, и поэтому значительная часть световой энергии рассеивалась бесполезно. [5]
Несмотря на то, что при одном и том же диаметре эллиптический рефлектор обеспечивает благодаря своей значительной глубине больший угол охвата по сравнению с параболическим, общая величина светового потока не получается большей из-за повышенных потерь в рассеивателе с кольцевыми линзами; кроме того, недостатком эллиптического рефлектора еще является то, что для его изготовления требуется больше материала. [6]
 |
Способ вынужденной диффузии тепла в применении. [7] |
В качестве полосового нагревателя применена кварцевая лампа мощностью 1 кВт с эллиптическим рефлектором. Максимальная скорость контроля составляет 30 5 см / с; при этом типичная избыточная температура нагрева не превышала 10 С. Система ТК размещена на коммерческом сканирующем столе и управляется компьютером. Термограммы, получаемые для фиксированного времени задержки, состоят из 256 пикселей в вертикальном направлении и до 1200 пикселей вдоль направления сканирования. [8]
Несмотря на то, что при одном и том же диаметре эллиптический рефлектор обеспечивает благодаря своей значительной глубине больший угол охвата по сравнению с параболическим, общая величина светового потока не получается большей из-за повышенных потерь в рассеивателе с кольцевыми линзами; кроме того, недостатком эллиптического рефлектора еще является то, что для его изготовления требуется больше материала. [9]
На рис. 23.10 изображена схема рубинового генератора. Лампа для подсветки, работающая в импульсном режиме, располагается внутри эллиптического рефлектора, осуществляющего фокусировку света лампы на рубиновом стержне. Лампа питается от высоковольтного выпрямителя. В интервалах между импульсами энергия высоковольтного источника накапливается в конденсаторе емкостью около 400 мкф. В момент подачи пускового поджигающего импульса напряжением 15 кв, снимаемого со вторичной обмотки повышающего трансформатора, лампа загорается и продолжает гореть, пока не израсходуется энергия, накопленная в конденсаторе высоковольтного выпрямителя. [10]
 |
Схема цилиндрического рефлектора кругового сечения. [11] |
На рис. II 1.19 изображена система накачки, представляющая собой цилиндрический рефлектор кругового сечения, в котором лампа и активный образец расположены симметрично относительно продольной оси цилиндра на расстоянии F от нее. Поэтому, эффективность передачи энергии в образец для кругового цилиндра должна быть меньше, чем для эллиптического рефлектора. Однако преимущество его перед последним заключается в простоте изготовления. [12]
 |
Параметрический газоструйный излучатель. [13] |
Параметрический излучатель ( рис. 4.2) содержит задающий ( левая часть) и модулирующий ( правая часть) генераторы. Подбором расстояний между резонаторами 2, 4 и соплами 1, 3 добиваются необходимых частот излучения. Направляющая система в виде эллиптических рефлекторов 5, б формирует область нелинейного взаимодействия и направленность излучения. [14]
 |
Система накачки - -. с плотным заполнением отражателя. [15] |
Страницы: 1 2