Максимальное значение - чувствительность
Cтраница 1
Максимальное значение чувствительности наступает приуменьшении индукции в зазоре прибора до минимума. Минимальная индукция предопределяет малую величину электрического устанавливающего момента, и поэтому граница уменьшения индукции определяется величиной момента трения. [1]
 |
Потенциомет - [ IMAGE ] - 2. Тензометрический рический датчик. проволочный датчик.| Датчик контактного сопротивления. [2] |
Максимальное значение чувствительности ограничивается мощностью рассеивания сопротивления датчика. Вообще-то чувствительность по-тенциометрических датчиков сравнительно невелика и составляет 3 - 5 в / мм. [3]
Максимальные значения чувствительности наблюдаются при совпадении направления колебательной скорости с направлением действия нагрузки. При прочих равных условиях приведенные чувствительности оказываются выше у материалов с относительно низким пределом текучести. [4]
Около точки, соответствующей максимальному значению чувствительности, рассматриваемая кривая имеет малую крутизну ( отклонение сопротивления нагрузки от оптимального значения в два раза приводит к снижению чувствительности по напряжению всего на 11 %) и, следовательно, значение Rn0nmu можно вычислять приближенно. Это имеет особенно большое значение в связи с тем, что величины всех сопротивлений, входящих в формулу ( 42), обычно известны с большой степенью приближения. [5]
Спектральные характеристики фоторезисторов, нормированные относительно максимального значения чувствительности ямакс на длине волны Кмакс, приведены на рис. 7.27. Эти характеристики определяются конкретной зависимостью стф ф ( Я) ( см. рис. 7.2) для каждого материала в области собственного или примесного поглощения. В видимой части оптического диапазона в качестве материалов ЧЭ фоторезисторов используются сульфид кремния CdS и селенид кадмия CdSe. Введение в эти материалы меди Си - центров чувствительности резко повышает время жизни электронов и, следовательно, коэффициент усиления по току. Но атомы меди создают в запрещенной зоне CdS и CdSe компенсирующие акцепторные уровни, и проводимость полупроводника уменьшается. На длинах волн 1 - 4 мкм применяют антимонид InSb и арсенид InAs индия. Указанные материалы фоторезисторов обладают собственной проводимостью. [6]
При этом за неравномерность частотной характеристики принимают отношение максимального значения чувствительности к минимальному значению, выраженное в децибелах. [7]
 |
Спектральные характеристики фоторезисторов. [8] |
На рис. 3.20 приведены спектральные характеристики фоторезисторов, нормированные относительно максимального значения чувствительности S max на длине волны тах. [9]
Критерием выбора наилучшей структуры комплексного показателя из имеющихся вариантов ( 2.6.1 - 2.6.3) является максимальное значение чувствительности. [10]
 |
Схема для определения нестабильное показаний дефектоскопа с дискретным выходом. [11] |
Уровень выходного сигнала измерительной информации для аналоговых ВТД определяют по отклонению указателя прибора в момент прохождения ВТП над участком стандартного образца с минимальным дефектом при максимальном значении чувствительности дефектоскопа. [12]
 |
Температурная зависимость удельного электросопротивления и коэффициента Холла (. и подвижности дырок ( б монокристаллов GaSe. [13] |
Фоточувствительность GaSe, измеренная при 300 и 70 К, имеет максимум в области длин волн 0 60 и 0 65 мк соответственно, при этом максимальное значение фото чувствительности при комнатной температуре сдвинуто в сторону более длинноволновой части спектра. Измерен коэффициент поглощения при 300 и 70 К. [14]
 |
Характеристики направленности микрофонов. я - круг, б - восьмерка, в - кардиоида, г - суперкардионда. [15] |
Страницы: 1 2