Схемотехническое решение

Cтраница 1

Принципиальная схема БВП-10 телевизора Электроника Ц-431 Д. [1]

Схемотехнические решения, используемые в телевизоре, имеют много общего с рассмотренными ранее, а потому перечислим лишь их основные особенности. [2]

Схемотехнические решения преобразователей в электроприводах постоянного и переменного токов остаются традиционными. С учетом возрастания требований к энергетическим характеристикам электроприводов и их влиянию на сеть развитие получают преобразователи, обеспечивающие экономичные способы управления электроприводами. [3]

Рассмотренные схемотехнические решения гарантируют надежную работу СПН, практически мгновенный переход из режима стабилизации в режим перегрузки и наоборот. При этом напряжение с нагрузки не снимается, перенапряжений на элементах не возникает, а также исключается возможность развития КЗ между каналами стабилизации. Кроме того, на интервалах, где мгновенные значения тока нагрузки меньше порогового, КС осуществляет компенсацию отклонения выходного напряжения, вызванного перегрузкой. Это делает рассмотренные СПН надежными, с высокими технико-экономическими показателями и позволяет использовать их на широкий спектр нагрузок. [4]

Рассмотренные схемотехнические решения базовых логических элементов, предусматривающие использование БТ, имеют один общий принципиальный недостаток. Этот недостаток заключается в том, что переключательный транзистор в этих схемах работает в режиме насыщения. Глубокое насыщение БТ, имеющее место в схемах с непосредственными связями, или ограниченное с помощью диода Шотки, шунтирующего коллекторный переход БТ, в ДТЛ, ТТЛ и И2Л обусловливает накопление избыточного заряда неосновных носителей в рабочих областях БТ и в основном определяет время переходных процессов в схемах. Поэтому естественным представляется создание схем с ненасыщенным режимом работы переключательного транзистора. [5]

Получены новые схемотехнические решения на базе функционально-интегрируемых элементов - инжекционной интегральной и инжекционно-полевой логики, характеризующихся низким энергопотреблением. [6]

Схемы однокаскадных широкополосных усилителей. [7]

На схемотехнические решения широкополосных усилителей, особенно высокочастотных, влияют недостатки, присущие интегральному исполнению. Наиболее существенный из них - отсутствие индуктивных элементов, конденсаторов большой емкости и сопрягающих трансформаторов в интегральной форме. [8]

Сложность схемотехнических решений, используемых в ИС, значительно выше, чем в схемах на дискретных элементах. [9]

Особенности схемотехнических решений, используемых для построения АИС, обусловлены следующими ограничениями в технологии изготовления ИС: большими разбросами абсолютных значений параметров элементов, микронными размерами элементов, трудностью технологической совместимости различных активных элементов, отсутствием индуктивности среди элементов ИС. В ИС выгодно применять активные элементы вместо пассивных, занимающих большую площадь кристалла. Элементы, расположенные на кристалле рядом, имеют практически одинаковые параметры. Разработчики АИС проектируют их таким образом, чтобы в максимальной степени использовать преимущества полупроводниковой технологии и свести к минимуму влияние ограничений, накладываемых этой технологией. [10]

Возможны и другие схемотехнические решения избирательных гС - фильтров. [11]

Возможны и другие схемотехнические решения избирательных гС - фильтров. [12]

Существует несколько специфичных схемотехнических решений, используемых при создании времяимпульсных вольтметров. Ниже рассматриваются две, наиболее часто используемые в измерительной технике схемы. [13]

Целый ряд архитектурных и схемотехнических решений, реализованных в наших ЭВМ, являются передовыми и по сей день. В этом разделе описываются важнейшие разработки в области электронной вычислительной техники, в которых принимал непосредственное участие С. А. Лебедев и которые составляют основу научного наследия этого выдающегося ученого. [14]

Обобщенная структурная схема базового логического элемента.| Схема инвертора на комплементарных МДП-транзисторах. [15]

Страницы: 1 2 3 4