Cтраница 2
Наиболее важной из всех связей этого типа является ионная связь, обусловленная электростатическим притяжением избыточных электрических зарядов противоположно заряженных ионов. Атомы металлов, например, легко теряют свои внешние электроны, а атомы неметаллов, наоборот, стремятся присоединить добавочные электроны. Кристаллы состоят из катионов металла и анионов галоида. Кристаллическая решетка большинства галогенидов построена так, как это изображено на рис. 8 для хлористого натрия. [16]
Для образования прозрачной керамики необходимы соответствующий температурный и газовый режимы обжига. Прозрачную керамику обжигают в вакууме или среде водорода. Вакуум обеспечивает удаление газов из пор еще на ранних стадиях спекания, в результате чего газ не препятствует зарастанию пор. Водород, имея малый размер атома, диффундирует через кристаллическую решетку большинства оксидов и полностью удаляется, не препятствуя зарастанию пор. Обжиг в воздушной среде и среде инертных газов не приводит к обра-зованию беспористой керамики, так как N2 и инертные газы, имея большие размеры атомов, не проникают через решетку, остаются в порах и препятствуют их зарастанию. Температура обжига прозрачной керамики из оксидов обычно превышает температуру обжига соответствующей непрозрачной оксидной керамики в воздушной среде. Скорость подъема температуры при обжиге прозрачной керамики в вакууме не должна быть высокой во избежание образования плотного слоя на поверхности изделия, препятствующего миграции газов из внутренних слоев керамики. [17]
Наиболее важной из всех связей этого типа является ионная связь, обусловленная электростатическим притяжением избыточных электрических зарядов противоположно заряженных ионов. Атомы металлов, например, легко теряют свои внешние электроны, а атомы неметаллов, наоборот, стремятся присоединить добавочные электроны. Таким образом, могут возникнуть устойчивые катионы и анионы, которые в основном сохраняют свое электронное строение при приближении друг к другу и при образовании молекулы или кристалла. Кристаллы состоят из катионов металла и анионов галоида. Кристаллическая решетка большинства галогенидов построена так, как это изображено на рис. 3 для хлористого натрия. [18]
Полупроводниковые свойства кремния, германия и некоторых других простых веществ и соединений элементов IV группы периодической системы определяются прежде всего особенностями их электронной структуры и характером связи атомов в кристаллической решетке. Они имеют тетраэдрическую кристаллическую решетку: каждый атом связан с четырьмя другими атомами ковалентной связью. При образовании этой связи происходит как бы перекрывание электронных орбит атомов и зр3 - гибридизация связей Все связи становятся равноценными в любом теяграэдрическом направлении. Вследствие этого электроны сравнительно прочно связаны с атомами: свободных электронов, способных проводить ток, насчитывается примерно 1 электрон на 105 - 109 атомов. В кристаллической решетке большинства металлов в среднем приходится 1 проводящий электрон на 1 атом, а в изоляторах все валентные электроны участвуют в химических связях и электронов проводимости нет. Хорошим изолятором является, например, алмаз. Хотя кремний и германий имеют атомную кристаллическую решетку типа алмаза, их валентные электроны связаны с атомами менее прочно и могут стать электронами проводимости под влиянием теплоты за счет энергии фотонов усиления электрического поля. [19]
Тип текстуры в основном определяется в первую очередь типом решетки металла и схемой деформации и мало зависит от схемы напряженного состояния. Поэтому, например, текстура прутков, полученных прессованием и волочением, одинакова. В этих процессах решетка большинства зерен располагается так, что определенное кристаллографическое направление становится параллельным оси максимальной деформации или близким к нему. При прокатке тонких листов и лент деформация практически плоская, так как уширение незначительно и им можно пренебречь. Текстура прокатки получается сложная: кристаллическая решетка большинства зерен устанавливается так, что определенная кристаллографическая плоскость становится параллельной плоскости листа, а определенное кристаллографическое направление - параллельно направлению прокатки. [20]