Любая кристаллическая решетка

Cтраница 2

Атомы данного элемента могут образовать, если исходить только из геометрических соображений, любую кристаллическую решетку. Однако устойчивым, а следовательно, реально существующим типом является решетка, обладающая наиболее низким запасом свободной энергии. Так, например, в твердом состоянии литий, натрий, калий, рубидий, цезий, молибден, вольфрам и другие металлы имеют объемноцентрированную кубическую решетку; алюминий, кальций, медь, серебро, золото, платина и др. - гранецентрированную, а бериллий, магний, цирконий, гафний, осмий и некоторые другие - гексагональную. [16]

Атомы данного элемента могут образовать, если исходить только из геометрических соображений, любую кристаллическую решетку. Однако устойчивым, а следовательно, реально существующим типом является решетка, обладающая наиболее низким запасом свободной энергии. Так, например, в твердом состоянии литий, натрий, алий, рубидий, цезий, молибден, вольфрам и другие металлы имеют объемноцентрированную кубическую решетку; алюминий, кальций, медь, серебро, золото, платина и др. - гранецентрированную, а бериллий, магний, цирконий, гафний, осмий и ( некоторые другие - гексагональную. [17]

Поскольку между молекулами, ионами и атомами кристаллической решетки существуют определенные связи и при этом они находятся в состоянии колебательного теплового движения, любая кристаллическая решетка характеризуется конечными значениями потенциальной и кинетической энергии. Сумма этих значений называется внутренней энергией решетки. Доказано, что любая кристаллическая решетка, представляющая собой плотную упаковку атомов, молекул и ионов вещества, характеризуется минимальной потенциальной энергией системы. Для разных типов кристаллических решеток плотность упаковки структурных элементов, характеризующаяся так называемым координационным числом, различна. [18]

Главное отличие кристаллических тел от аморфных состоит в том, что кристаллические тела имеют пространственную решетку, а аморфные тела ее не имеют. Для любой кристаллической решетки характерно существование такого элемента ее структуры, многократным повторением которого в пространстве можно получить всю кристаллическую решетку, какой бы объем ни занимал кристалл. Такой элемент структуры называют элементарной ячейкой кристаллической решетки. Для описания строения любого кристалла достаточно изучить строение элементарной ячейки пространственной решетки этого кристалла. [19]

Наиболее распространенным механизмом пластического деформирования является плавное движение одной плоскости атомов над другой, называемое обычно скольжением. В любой кристаллической решетке некоторые плоскости и направления более других предрасположены к возникновению в них скольжения, что приводит к появлению полос из тонких параллельных линий скольжения на поверхности кристалла при его пластическом деформировании. Совокупность направления и плоскости скольжения называется системой скольжения. Образование линий и полос скольжения схематически показано на рис. 3.7. При значительном увеличении можно видеть, что линии скольжения образуются в результате относительного параллельного смещения плоскостей кристалла, находящихся друг от друга на расстоянии порядка 100 атомных диаметров. [20]

Удельная теплоемкость идеального бозе-газа. При Т. [21]

Причины столь исключительного поведения следующие: в) малая масса атома, что приводит к большому значению нулевой энергии, иг) сравнительно слабые вандервааль-совы силы притяжения. Последнее обстоятельство вместе с предыдущим приводит к неустойчивости любой кристаллической решетки. [22]

Изучение механических свойств кристаллических веществ привело к необъяснимому результату: их фактическая прочность была на несколько порядков ниже, чем рассчитанная теоретически. Исследования показали, что в природе практически не существует идеальных кристаллов, и любая кристаллическая решетка имеет в своей структуре так называемые дефекты упаковки различного рода. [23]

В состав катализаторов крекинга входят кремний, алюминий, кислород и небольшие количества атомов водорода. Полинг [155] первоначально предположил, что в любой кристаллической решетке, содержащей как отрицательные, так и положительные ионы, суммарный отрицательный заряд может создаваться путем изоморфного замещения положительного иона, валентность которого меньше валентности замещаемого положительного иона. Во многих природных алюмосиликатах ион кремния в решетке двуокиси кремния, состоящей из кремнийкислород-ных тетраэдров, замещен на ион алюминия, и поэтому такая структура характеризуется недостатком положительной валентности. Этот недостаток валентности компенсируется наличием вблизи от того места, где происходит замещение иона, положительного иона, который, следовательно, проявляет тенденцию стабилизировать данную структуру. [25]

Но основным фактором, оказывающим влияние на скорость кристаллизации и особенно на совершенство кристаллической структуры, является регулярность полимера. Это обусловлено в первую очередь тем, что любая кристаллическая решетка представляет собой трехмерную регулярную систему, отдельные узлы которой имеют строгую периодичность в различных направлениях. При образовании кристалла из молекул низкомолекулярного вещества периодичность не обусловлена их структурой. В высокомолекулярных веществах отдельные узлы решетки представляют собой звенья молекулы, которые связаны друг с другом химическими связями. Поэтому, если не соблюдается регулярность в составе и расположении звеньев в цепи, образование кристаллической решетки либо затруднено, либо невозможно. [26]

Под действием электромагнитного поля рентгеновских лучей электроны атомов, входящих в кристаллическую решетку вещества, начинают колебаться. Частота вынужденных колебаний электронов будет равна частоте электромагнитного поля первичного пучка рентгеновских лучей. Колеблющийся атом становится источником электромагнитных волн, распространяющихся от него во все стороны с частотой, равной частоте первичного луча. Расположение атомов в любой кристаллической решетке закономерно и расстояния между ними в данном направлении одинаковы, поэтому лучи, рассеянные отдельными атомами, будут интерферировать между собой. Интенсивность их в одних направлениях будет получаться значительно больше, чем в других. Следовательно, для рентгеновских лучей кристалл является трехмерной дифракционной решеткой. [27]

Дифракция рентгеновского излучения. [28]

Под действием электромагнитного поля рентгеновского излучения возбуждаются колебания электронов атомов, входящих в кристаллическую решетку вещества. Частота этих колебаний равна частоте электромагнитного поля первичного пучка рентгеновского излучения. Колеблющийся атом становится источником электромагнитных волн, распространяющихся от него во все стороны с частотой, равной частоте первичного излучения. Расположение атомов в любой кристаллической решетке закономерно и расстояния между ними в данном направлении одинаковы, поэтому пучки излучения, рассеянные отдельными атомами, будут интерферировать между собой. Интенсивность их в одних направлениях будет получаться значительно больше, чем в других. Следовательно, для рентгеновского излучения кристалл является трехмерной дифракционной решеткой. [29]

Страницы: 1 2 3