Элементарная кристаллическая решетка
Cтраница 2
Центрами кристаллизации могут быть группы элементарных кристаллических решеток, неметаллические включения и тугоплавкие примеси. [16]
 |
Элементарные кристалличе - [ IMAGE ] Искажения кристаллической ские решетки твердых растворов. решетки при образовании твердого рас-а - твердый раствор замещения хрома в ТВОра замещения. [17] |
На рис. 22, а показана элементарная кристаллическая решетка твердого раствора замещения хрома в железе. Отдельные узлы в кристаллической решетке а-железа заняты ионами хрома. Ионы обоих металлов располагаются в узлах кристаллической решетки произвольно. [18]
 |
Схема микроструктуры [ IMAGE ] Микроструктура твердого механической смеси. раствора цинка в меди ( латунь. [19] |
На рис. 20, а показана элементарная кристаллическая решетка твердого раствора замещения хрома в железе. Отдельные узлы в кристаллической решетке а-железа заняты ионами хрома. Ионы обоих металлов располагаются в узлах кристаллической решетки в произвольном порядке. [20]
На рис. 31 изображены основные типы элементарных кристаллических решеток. [21]
 |
Схема микро - мента М ГУТ либ замещать структуры механической атомы элемента-растворителя в смеси. узлах кристаллической решетки. [22] |
На рис. 1 - 8 а показана элементарная кристаллическая решетка твердого раствора замещения хрома в железе. Отдельные узлы решетки железа замещены ионами хрома. Ионы обоих металлов располагаются в узлах кристаллической решетки в произвольном порядке, со средней статистической равномерностью. [23]
Образование полных кристаллов, которые состоят из одинаково ориентированных элементарных кристаллических решеток, происходит редко. [24]
Атомы ( ионы, молекулы), составляющие элементарную кристаллическую решетку, находятся в состоянии химического взаимодействия, образуя тот или иной тип связи. [25]
Моноарсенид гафния имеет гексагональную структуру типа TiP с параметрами элементарной кристаллической решетки: а 3 764, с 12 680 А, наименьшие расстояния между атомами в элементарной ячейке: Hf - Hf 3 40, Hf - As 2 62 и As - As 3 76 А. [26]
На рис. 1.1 показано расположение атомов ( ионов) в элементарных кристаллических решетках трех типов: кубической объемно-центрированной, кубической гранецентрированной и гексагональной. [27]
Концентрация, отвечающая нижней границе смешиваемости, может быть различной для разных систем, так как она зависит от степени сложности элементарной кристаллической решетки, от соотношения адсорбционных сил различных ионов и их концентраций в растворе. Увеличение концентрации сопряженного иона ( например, SOi - в системе КМпО4 - BaSO4 - Н2О) понижает нижнюю границу смешиваемости. Как показали качественные опыты по сокристаллизации BaSO4 с КМпО4, добавление посторонних ионов ( А13, Fe3, K и Н) повышает нижнюю границу смешиваемости. [28]
Во втором случае в связи с весьма незначительной взаимной растворимостью обеих фаз скррость комплексообразования близка к нулю и образование комплекса ограничивается зарождением на поверхности раздела фаз элементарной кристаллической решетки. Происходящая в это время на поверхности раздела фаз адсорбция молекул ингибиторов комплексообразования сокращает и без того чрезвычайно малую поверхность контакта двух фаз, величина которой во многом определяет скорость комплексообразования. И только в случае контакта без перемешивания углеводородной фазы и спиртового ( или спирто-водного с большой концентрацией спирта) раствора карбамида образуется комплекс, что объясняется относительно высокой взаимной растворимостью этих двух фаз и нейтрализующим действием спирта по отношению к ингибиторам комплексообразования. [29]
Образование реальных кристаллических структур не происходит без дефектов и отклонений от идеализированных структур, показанных на рис. 1.5 и 1.6. Дефекты носят точечный и линейный характер. Точечные дефекты присущи элементарным кристаллическим решеткам и весьма разнообразны. Наиболее часто встречающиеся точечные дефекты показаны на рис. 1.7 [1.2]: а - пустой узел или вакансия; б - междоузельный атом; в - вакансия и междо-узельный атом; г - примесный атом. Имеют место искажения и геометрической формы кристаллической решетки, вызванные спецификой технологии производства металлов. [30]
Страницы: 1 2 3