Сопрягающаяся решетка

Cтраница 1

Сопрягающиеся решетки, у которых большинство плоскостей являются продолжением друг друга ( см. рис. 3 - 1), приходят в соответствие друг с другом благодаря деформации сдвига, распространяющейся на некоторую глубину по обе стороны границы. Напряжения сдвига меняются вдоль этой границы по синусоидальному закону. [1]

Близость параметров сопрягающихся решеток не является необходимым условием ориентированной кристаллизации галоидных солей щелочных металлов. Однако при химическом взаимодействии и кристаллизации из растворов значение А приобретает определенную роль. [2]

Касательные силы на поверхности раздела, благодаря которым сопрягающиеся решетки стремятся прийти в соответствие друг с другом, представляются в рамках данной теории как напряжения сдвига на поверхности раздела, изменяющиеся по синусоидальному закону. [3]

Векторы А, В, С - кратные периоды идентичности сопрягающейся решетки, являющиеся осями кратной ячейки сопряжения, в общем случае не совпадают по направлению и величине с главными осями а, Ь, с элементарной ячейки. [4]

Сопряжение является регулярным, когда возникает определенное соответствие во взаимной ориентировке кристаллографических направлений, плоскостей или объемов, и нерегулярным, есл и в сопрягающихся решетках такое соответствие отсутствует. Кроме этого, возможно еще и размерное соответствие при авто-эпитаксйи или в случае незначительного различия параметров, когда в параллельных или эквивалентных кристаллографических направлениях, плоскостях или объемах имеет место одинаковая периодичность в расположении материальных частиц в vrmax обеих решеток. При этом под эквивалентными кристаллографическими элементами ( узловыми точками, прямыми, плоскостями, объемами) подразумеваются такие, которые переходят друг в друга при трансляции ( сдвиге) или же при определенной операции симметрии относительно общей плоскости, оси или центра сопряжения обеих решеток. Под частицами разумеются атомы, ионы, молекулы или другие группы ( например, ионные комплексы), находящиеся в узлах кристаллической решетки. [5]

Профиль грани куба монокристалла серебра и осажденной на ней молекулы хлористого натрия. [6]

Как и в случае электростатического взаимодействия, механизм, основанный на наличии ван-дер-ваальсовских сил, обусловливает важность направлений с максимальной плотностью частиц, вдоль которых в структур. Это свидетельствует о правильной физической направленности критерия параллельности плотноупакованных рядов сопрягающихся решеток. [7]

Представляют интерес также другие работы Метыоза и других исследователей, в которых удалось раздельно оценить вклад упругой деформации и дислокаций несоответствия. Метьюз в соответствии с теорией ван дер Мерве приписал этот результат частичному изменению периодов сопрягающихся решеток ( на 0 06 %), направленному на уменьшение величины А. В соответствии с этим 4 % существующей разности периодов решеток PbSe и PbS компенсируется их деформацией, а остальные 96 % образованием дислокаций несоответствия. [8]

Переходим к рассмотрению регулярного сопряжения разнотипных по симметрии или по составу кристаллических решеток. Легко видеть, что для решеток, разнотипных по симметрии, невозможен случай трехпернодического регулярного сопряжения. Требование одновременно одинаковой или эквивалентной симметрии и близости значений параметров ( а, Ь, с, а, 3, - у) сопрягающихся решеток не может быть выполнено для веществ, относящихся к разным кристаллографическим системам или классам симметрии. Здесь под эквивалентной симметрией двух сопрягающихся кристаллических решеток подразумевается либо совпадение их при операции трансляции ( сдвиге), либо при другой операции симметрии относительно общей плоскости, оси или центра сопряжения, когда сопряженные решетки находятся в одинаковом положении или в положении мультикристалла. [9]

При наличии сил ван-дер-ваальсовской адсорбции положение прибывающего на поверхность атома определяется в соответствии с теорией роста совершенных кристаллов наинизшим уровнем потенциальной энергии. Другие положения атомов металла, и в особенности положения непосредственно над ионами хлора ( рис. 87, в), являются очень неустойчивыми. Поскольку конфигурации, соответствующие рис. 87, б, в, энергетически невыгодны, то адсорбция металлических атомов осуществляется по схеме рис. 87, а, хотя такая комбинация не удовлетворяет условию минимума разности параметров сопрягающихся решеток. [10]

Дефектная структура эпитак-сиальной пленки Si на поверхности ( 100 магниево-алюминиевой шпинели. [11]

Наблюдается тенденция к образованию скоплений. Линии дислокаций, как правило, располагаются попарно. Полупетли не лежат в плоскости поверхности. Последнее может быть установлено при изучении распределения дислокаций по глубине с помощью топо-грамм образцов с косым шлифом и при последовательном удалении тонких слоев материала. Изображение части полупетли, расположенной в эпитаксиальной пленке, исчезает в непосредственной близости от границы раздела. Вторая часть полупетли расположена в монокристалле подложки на расстоянии 50 - 70 мкм. Дефекты в виде дислокационных полупетель, расположенных в наклонных плоскостях 111 параллельно поверхности раздела в направлениях [ НО ], появляются под действием напряжений, вызванных различием параметров сопрягающихся решеток пленки и подложки. [12]

Страницы: 1