Cтраница 4
Оксид железа ( III) - Ре2Оз - носит название гематит и имеет структуру ромбоэдрической решетки. Гематит существует в широком интервале температур, но выше 1100 С частично диссоциирует. [46]
Оксид железа ( III) - Рб2Оз - носит название гематит и имеет структуру ромбоэдрической решетки. Гематит существует в широком интервале температур, но выше 1100 С частично диссоциирует. [47]
Ромбоэдрическая ячейка п обратном пространстве может быть построена на осях не гексагональной, л ромбоэдрической решетки. [48]
Оксид железа ( III) - Рб2Оз - носит название гематит и имеет структуру ромбоэдрической решетки. Гематит существует в широком интервале температур, но выше 1100 С частично диссоциирует. [49]
Соединения Sc2Hf5O13 ( Sc2O3 5НЮ2) и Sc4Hf3O12 ( 2Sc2O3 o ЗНЮ2) имеют ромбоэдрическую решетку с параметрами а8 ОООА, а72 32 и а7 936 А, а72 24 соответственно. Область гомогенности Sc2Hf5O13 расширяется с увеличением температуры отжига и располагается в интервале концентраций Sc2O3 16 - 22 мол. Соединение Sc4Hf3O12 имеет более широкую область гомогенности в интервале концентраций Sc2O3 31 - 47 мол. [50]
Наряду с указанными окислами при любой температуре происходит образование окисла Fe2O3 - гематита, имеющего ромбоэдрическую решетку типа корунда, с защитными свойствами, меньшими, чем магнетит. [51]
Действием кремния на борный ангидрид482, а также при сплавлении SiB6 с кремнием483 получен SiB4, имеющий ромбоэдрическую решетку. [52]
Окись алюминия имеет несколько кристаллических модификаций, из которых термодинамически стабильна а-модификация А12Оз, или корунд, имеющий ромбоэдрическую решетку. Другие модификации окиси алюминия - гексагональная - модификация, кубическая - модификация, имеющая решетку типа шпинели, и ряд других-метастабильны и могут существовать в ограниченном интервале температур, обычно в присутствии примесей. [53]
Для него известны две полиморфные модификации: одна кристаллизуется в гексагональной слоистой решетке типа GaS, другая - в ромбоэдрической решетке. Низший селенид Ga2Se черный, плотность 5 02 г / см3; до настоящего времени исследован мало. Высший селенид галлия Ga2Se3 - родоначальник ряда селеногаллатов, аналогичных по составу тиогаллатам и обладающих подобными им свойствами. [54]
Ранее было показано, что боковая отталкивающая сила появляется, когда сферы сближаются друг с другом так, что псевдоожиженные сферы находятся в ромбоэдрической решетке в нейтральном или в слабом стабильном состояниях. Это означает, что псевдоожиженные частицы, первоначально расположенные в строгом порядке, могут постепенно переходить в беспорядочное состояние без значительного изменения сил давления, пока не изменится локальная концентрация частиц. [55]
Известно, что в результате интенсивной деформации натурального графита ( при размоле и приложении больших внешних давлений) наблюдается рост содержания компонента с ромбоэдрической решеткой. При нагревании до 3000 С возможен практически полный переход ромбоэдрического графита в гексагональный. [56]
В 1973 г. решение этого вопроса находилось в следующем состоянии: считалось, что комитет нашел удовлетворительное приближение к набору образцов, основанному на правильной ромбоэдрической решетке, и что были предприняты усилия по изготовлению накрасок, иллюстрирующих последовательность цветов в решетке. Предполагается, что в ближайшее время Американское оптическое общество сделает все возможное, чтобы наборы таких образцов были выпущены в продажу. [57]
Это предположение подтверждается изоморфизмом кристаллической структуры, однообразием природы химической связи и физических свойств; наконец, между этими соединениями образуются непрерывные твердые растворы с ромбоэдрической решеткой. На основании сходства зонной структуры можно заключить, что аналогично расположенные в спектрах пики отражения ( имеющие одинаковые обозначения) должны иметь одинаковую природу. Можно проследить, как изменяется положение пиков при переходе от одного кристалла к другому. При построении зависимости изменения энергии пиков между Bi2Te3 и Bi2Se3 были приняты во внимание результаты изучения спектров отражения в системе Bi2Te3 - Bi2Se3 [5], согласно которым положение пиков резко изменяется при добавлении Bi2Se3 к Bi2Te3 до 33 мол. [58]
Сравнение между собою г и г0 для жидкого и твердого состояний висмута дало основание В. П. Цветкову считать, что при переходе висмута из твердого состояния в жидкое его ромбоэдрическая решетка с рыхлой упаковкой в ней атомов переходит в размытую гексагональную плотно упакованную решетку. [59]
Распределение атомов в ртути при этом переходит из плотно упакованного, характерного для жидкой ртути при высоких температурах, в новое, при котором ее строение сходно с размещением атомов в ромбоэдрической решетке твердой ртути. [60]