Cтраница 1
![]() |
Изотермы упругости диссоциации гидридов церия в области Се - СеН2. [1] |
Первая, восходящая ветвь показывает очень незначительное увеличение давления от 0 до нескольких миллиметров ртутного столба. Далее идет горизонтальная ветвь, практически совпадающая с осью абсцисс, которая переходит в третью ветвь, резко поднимающуюся вверх. [2]
![]() |
Транзисторно-диодные ( гибридные двухстабиль. [3] |
Чаще предпочитают первую восходящую ветвь характеристики. [4]
Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления. Работа на второй восхо дящей ветви не допускается. [5]
Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на учас1 ке охрицаicjibHOi о сопротивления вольт-амперной характеристики. [6]
Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления вольт-амперной характеристики. [7]
Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления. Работа на второй восходящей ветви не допускается. [8]
Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления вольт-амперной характеристики. [9]
Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления. Работа на второй восходящей ветви не допускается. [10]
Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления. Работа на второй восходящей ветви не допускается. [11]
Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления вольт-амперной характеристики. [12]
Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участкЪ отрицательного сопротивления. Работа на второй восходящей ветви не допускается. [13]
![]() |
Зависимость эффективное.| Зависимость логарифма тока от логарифма концентрации феноксиэтанола, при потенциалах анода, равных. 1 - 1 540V, 2 - 1 515V, 3 - 1 490V, 4 - 1 465V 5 - 1 440V. [14] |
Для выяснения характера процесса, соответствующего первой восходящей ветви кри вой была исследована зависимость логарифма тока от логарифма концентрации феноксиэтанола. [15]