Первая восходящая ветвь - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Когда к тебе обращаются с просьбой "Скажи мне, только честно...", с ужасом понимаешь, что сейчас, скорее всего, тебе придется много врать. Законы Мерфи (еще...)

Первая восходящая ветвь

Cтраница 1


1 Изотермы упругости диссоциации гидридов церия в области Се - СеН2. [1]

Первая, восходящая ветвь показывает очень незначительное увеличение давления от 0 до нескольких миллиметров ртутного столба. Далее идет горизонтальная ветвь, практически совпадающая с осью абсцисс, которая переходит в третью ветвь, резко поднимающуюся вверх.  [2]

3 Транзисторно-диодные ( гибридные двухстабиль. [3]

Чаще предпочитают первую восходящую ветвь характеристики.  [4]

Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления. Работа на второй восхо дящей ветви не допускается.  [5]

Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на учас1 ке охрицаicjibHOi о сопротивления вольт-амперной характеристики.  [6]

Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления вольт-амперной характеристики.  [7]

Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления. Работа на второй восходящей ветви не допускается.  [8]

Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления вольт-амперной характеристики.  [9]

Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления. Работа на второй восходящей ветви не допускается.  [10]

Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления. Работа на второй восходящей ветви не допускается.  [11]

Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участке отрицательного сопротивления вольт-амперной характеристики.  [12]

Допускается работа диодов на первой восходящей ветви и на участкЪ отрицательного сопротивления. Работа на второй восходящей ветви не допускается.  [13]

14 Зависимость эффективное.| Зависимость логарифма тока от логарифма концентрации феноксиэтанола, при потенциалах анода, равных. 1 - 1 540V, 2 - 1 515V, 3 - 1 490V, 4 - 1 465V 5 - 1 440V. [14]

Для выяснения характера процесса, соответствующего первой восходящей ветви кри вой была исследована зависимость логарифма тока от логарифма концентрации феноксиэтанола.  [15]



Страницы:      1    2    3