Cтраница 2
По его мнению атомы в стекле и в монокристалле должны образовать трехмерную непрерывную решетку. Однако решетка стекла, в отличие от решетки кристалла, не симметрична и не периодична. Поэтому внутренняя энергия стекла больше внутренней энергии кристалла, но для труднокристаллизующихся веществ эта разница невелика. Способность веществ к переходу в стеклообразное состояние зависит от возможности образования трехмерной беспорядочной решетки ( каркаса) с энергосодержанием, мало отличающимся от энергосодержания соответствующей кристаллической ( симметричной) решетки. Условие сравнимости энергосодержания стекла и кристалла требует, чтобы полиэдры, слагающие стекло, существенно не отличались от полиэдров, слагающих кристалл. [16]
Всякая полная подрешетка непрерывной решетки непрерывна, так же как и прямое произведение любого семейства непрерывных решеток. Если р - решеточный гомоморфизм непрерывной решетки L на полную решетку М, сохраняющий все точные нижние грани и точные верхние грани направленных ( вверх) семейств, то М - непрерывная решетка. [17]
Отсюда всякая непрерывная решетка П - непрерывна. Таким образом, непрерывная решетка дистрибутивна в том и только том случае, когда она является полной решеткой с относительными псевдодополнениями. [18]
Марцокки [3382] привел некоторые данные о строении и свойствах стеклянного волокна. Внутренняя структура стекловолокна состоит из непрерывной решетки, размеры которой определяются длиной и диаметром волокон. Гибкость волокон достигается за счет вытягивания их до чрезвычайно малого диаметра. Стеклянное волокно не имеет предела текучести и обладает большой упругостью; усталости стекла при изгибе не наблюдается. Отжиг стекловолокна при повышенных температурах цриводит к постепенному снижению прочности на растяжение наряду с возрастанием плотности, что объясняется уплотнением рыхлой структуры стекловолокна. [19]
Всякая полная подрешетка непрерывной решетки непрерывна, так же как и прямое произведение любого семейства непрерывных решеток. Если р - решеточный гомоморфизм непрерывной решетки L на полную решетку М, сохраняющий все точные нижние грани и точные верхние грани направленных ( вверх) семейств, то М - непрерывная решетка. [20]
В третьей главе рассматриваются различные попытки продвинуться в решении основной проблемы. Наряду с уже известными результатами ( дистрибутивность компактно порожденных и, вообще, непрерывных решеток с единственными дополнениями, разложение полной решетки с единственными дополнениями в прямое произве дение атомной и безатомной компонент, пополнение булевой алгебры сечениями) излагаются и новые подходы, в первую очередь связанные с поисками удобных представлений для полных решеток. [21]
Примером другого класса дислокаций являются образующиеся у поверхности раздела дислокации, которые играют существенную роль в полукогерентных выделениях в твердых телах. В процессах выделения внутри твердого тела мы различаем когерентные выделения, которые имеют непрерывную решетку с матрицей, некогерентные выделения, для которых это не имеет места, и полукогерентные выделения, которые могут быть описаны в терминах непрерывной решетки с дислокациями у поверхности раздела. Примеры этого известны только в металлургии, что, по-видимому, указывает лишь на интенсивность исследований в этой области. Классическими примерами являются выделения сс-железа из у-железа ( аустенита) ь углеродистых сталях, приводящие к мартенситу, когда процесс протекает быстро без диффузии при высокой степени переохлаждения, и к бейниту, если процесс протекает более медленно с диффузией углерода при меньшей степени переохлаждения. В той же системе, правда, наблюдается также некогерентное выделение не содержащего углерода - железа с образованием и без образования эвтектоидных пластинчатых прослоек карбида железа. При этом необходимо предпочесть описание обогащенной углеродом решетки сс-железа как тетрагональной гране-центрированной вместо тетрагональной ( почти кубической) объем-ноцентрированной решетки. Возможно то и другое описание, хотя обычным является последнее. Таким путем устанавливается соответствие с гранецентрированной кубической решеткой у-железа и оказывается возможным описать в терминах дислокаций существенные характеристики сложных атомных конфигураций и движений у поверхности раздела, которые невозможно определить в таких деталях любым другим путем. [22]
Всякая полная подрешетка непрерывной решетки непрерывна, так же как и прямое произведение любого семейства непрерывных решеток. Если р - решеточный гомоморфизм непрерывной решетки L на полную решетку М, сохраняющий все точные нижние грани и точные верхние грани направленных ( вверх) семейств, то М - непрерывная решетка. [23]
Примером другого класса дислокаций являются образующиеся у поверхности раздела дислокации, которые играют существенную роль в полукогерентных выделениях в твердых телах. В процессах выделения внутри твердого тела мы различаем когерентные выделения, которые имеют непрерывную решетку с матрицей, некогерентные выделения, для которых это не имеет места, и полукогерентные выделения, которые могут быть описаны в терминах непрерывной решетки с дислокациями у поверхности раздела. Примеры этого известны только в металлургии, что, по-видимому, указывает лишь на интенсивность исследований в этой области. Классическими примерами являются выделения сс-железа из у-железа ( аустенита) ь углеродистых сталях, приводящие к мартенситу, когда процесс протекает быстро без диффузии при высокой степени переохлаждения, и к бейниту, если процесс протекает более медленно с диффузией углерода при меньшей степени переохлаждения. В той же системе, правда, наблюдается также некогерентное выделение не содержащего углерода - железа с образованием и без образования эвтектоидных пластинчатых прослоек карбида железа. При этом необходимо предпочесть описание обогащенной углеродом решетки сс-железа как тетрагональной гране-центрированной вместо тетрагональной ( почти кубической) объем-ноцентрированной решетки. Возможно то и другое описание, хотя обычным является последнее. Таким путем устанавливается соответствие с гранецентрированной кубической решеткой у-железа и оказывается возможным описать в терминах дислокаций существенные характеристики сложных атомных конфигураций и движений у поверхности раздела, которые невозможно определить в таких деталях любым другим путем. [24]
![]() |
Схематическое изображение молекулярной структуры аморфного несшитого полимера.| Схематическое изображение молекулярной структуры аморфного сшитого полимера. [25] |
И здесь также следует иметь в виду гораздо большее заполнение пространства, чем это изображено на рисунке. Молекулы этих полимеров проявляют стремление укладываться параллельно друг к другу в упорядоченную непрерывную решетку. [26]
Механизм продвижения ионов сквозь кристаллическую решетку под влиянием внешнего электрического поля до сих пор не вполне выяснен. Простейшая гипотеза заключается в том, что при высокой температуре амплитуда колебаний ионов около их положений равновесия настолько значительна, что под влиянием электрической силы, вызванной внешним полем, отдельные ионы иногда обмениваются местами со своими соседями. Однако, с другой стороны, следует иметь в виду, что всякий реальный кристалл значительно отличается от идеальной непрерывной решетки. Внутри кристалла имеются многочисленные микроскопические трещинки и другие изъяны решетки, и они могут играть существенную роль в проводимости кристалла. [27]
Определение tg б при высокой частоте проводилось на стеклах, состоящих только из стеклообразующих окислов ( SiOz, ВгОз, PzOs), а также с добавками различных модификаторов. Минимальный tg б имеют стекла, образованные только стеклообразующими окислами. Кварцевое стекло ( 100 % SiO2) имеет наиболее низкий tg б и известно как хороший диэлектрик. Малый tg б этого стекла обусловлен устойчивостью и прочностью атомной решетки. В боросиликатном стекле состава 50 % SiC2 50 % B2O3 потери несколько увеличены по сравнению с чистым кварцевым стеклом. В структурном отношении борокварцевое стекло представляет непрерывную решетку со связями - Si-О - В-Si - О -, но в одном из трех измерений связь В-О менее прочна, чем в двух других, что связано с поглощением электрической энергии, а следовательно, и с ростом потерь. [28]