Cтраница 4
С уменьшенном мощности двигателей для улучшения пусковых и рабочих свойств необходимо уменьшать разность магнитных прово - димостей ротора. [46]
Показать, что не существует метрики во множестве случайных величин такой, что сходимость в ней эквивалентна димости почти наверное. [47]
Частица, проникающая в полупроводник, порождает в нем большое число носителей тока: электронов прово - димости и дырок. Полупроводниковая пластинка приобретает проводимость, это практически мгновенно скажется на усилении электрического тока, протекающего через пластинку и соответствующий измерительный прибор. Измерительный прибор проградуи-рован так, что он показывает не силу протекающего тока, а число частиц, попадающих на полупроводниковую пластинку. Время жизни электрона в зоне проводимости составляет 10 - - 10 сек. Таким образом, каждая частица, падающая на полупроводниковую пластинку, будет порождать в ней свою порцию носителей тока и давать в измерительном приборе свой импульс тока. [48]
Зависимость полной проводимости преобразователя на основе пленок ZnO, выращенных на подложках из плавленого кварца, генерирующего продольные волны, от частоты. [49] |
В соответствии с аналогичной зависимостью для классической эквивалентной схемы преобразователя в пленочном преобразователе на основной частоте прово димость проходит через максимум, а емкость уменьшается. Видны и существенные отклонения от классического поведения, которые приписывают активным потерям в металлических пленочных электродах. Так как импеданс преобразователя носит преимущественно, емкостный характер, использование катушек индуктивности, включенных параллельно или последовательно с преобразователем, может существенно улучшить электрическое согласование с источником, имеющим активное сопротивление, в некоторой полосе частот, определяемой добротностью Q подстроечной цепи. [50]
Независимо от типа и рабочего напряжения, все полупроводниковые диоды обладают ярко выраженной односторонней прово - - димостью. [51]
Поскольку пластические свойства угля сохраняются лишь в сравни - тельно узком температурном интервале, становится очевидной необхо - димость как можно более точного определения температурного состоя - ния частиц различных фракций не только на выгоде из установки, но и во всех промежуточных сечениях потока Экспериментальное решение задачи встречает непреодолимые трудности; в связи с этим возрастает роль расчетных методов. Важнейшей особенностью межфазового теплообмена в таких системах является резко выраженная неравномерность нагрева материала. В интервал пластичности, который для данного угля равен ( 380 С. С), попадает температуры частиц размером 0 38 - 1 5 мм, которые составляют незначительную долю от общей массы шихты. [52]
Зависимость потенциометры-ческих кривых от продолжительности процесса химического осаждения в системе Ni ( NO3 2 - Na2CO3 - H2O., Продолжительность осаждения. [53] |
В практических условиях, как показал Мак - 600 Иннес ( 1948 г.), нет необхо - § димости рассматривать зна - - чения рН со строгих позиций теории растворов, а достаточно принимать их как характеристику кислотности или щелочности растворов. [54]
Если не нужно сохранять точный вид модуля ( установки Show / Hide), нет необхо - Т ВНИМАНИЕ димости сохранять диаграмму. [55]
Профили фоторе-зистивного слоя, полученные на подложках при различных скоростях центрифугирования. [56] |
Очевидно, что с точки зрения максимальных разрешающей способности процесса фотолитографии ( минимальной толщины слоя) и воспроизво: димости ( равномерности слоя) наиболее целесообразной является скорость центрифугирования, превышающая критическое число оборотов. Однако от толщины фоторезистивного слоя зависит его устойчивость ( кислотостойкость) к агрессивным средам, которая не может быть обеспечена выбором минимальной толщины фоторезиста. [57]
Величины даны при работе тиристора в однофазной однополупернодной схеме с активной нагрузкой на частоте 50 гц и угле провоет димости ISO вл. [58]
Схема установки для синтеза при направленной кристаллизации теллурида кадмия. [59] |
Общий состав соединения задается точностью взвешивания навесок компонентов, что в случае изотермической замкнутой системы неконтролируемо предопределяет величину прово димости выращенных кристаллов. [60]