Cтраница 2
Так обстоит дело в простых полупроводниках типа германия и кремния. Bv, образование вакансий связано с нарушением строгой стехиометрии кристалла. Пунктиром на этой схеме показана область гомогенности. Соответственно правая пунктирная ветвь описывает растворимость элемента Bv в А ПВУ. Иными словами, если имеется отклонение от точной стехиометрии в ту или иную сторону, кристалл будет содержать избыток одного из компонентов, который будет играть роль либо донора, либо акцептора в зависимости от того, какой из компонентов находится в избытке. [16]