Аналогичная рисунка

Cтраница 1

Аналогичные рисунки ( см. рис. 5.196) иллюстрируют динамику систем для случая большей надкритичности. Видно, что и в этом случае феноменологическая модель правильно описывает процессы, происходящие в электронном пучке со сверхкритическим током в плоском диодном промежутке. По мере увеличения параметра надкритичности, средняя величина суммарного заряда, накопленного в системе, возрастает, а сгусток частиц ( виртуальный катод) все больше приближается к плоскости инжекции. [1]

Изменение функции свободной энергии ЬР / Т изомеризации пентанов с температурой. [2]

Как и на других аналогичных рисунках, для нормального изомера изменение свободной энергии изомеризации при всех температурах принимается равным нулю. [3]

Пунктиром на рис. 4 и на других аналогичных рисунках показаны результаты расчета по закону Рауля. [4]

Изменение логарифма каталитической активности в ряду окислов металлов 4-го периода в реакциях изотопного обмена О 2 с кислородом поверхности окислов ( 1 - 3 и гомомолекулярного обмена 02 ( 4. [5]

На этом, как и на других аналогичных рисунках изображены данные разных авторов, снятые при различных условиях и температурах. [6]

На рис. 1.16, а и далее на последующих аналогичных рисунках над контактным проводом показано напряжение питающей трехфазной линии, с которым по фазе совпадает напряжение в тяговой сети. [7]

Для проведения вычисления методом Либмана поступаем следующим образом: рассматриваемую область ( приведенные ниже вычисления относятся к задаче для кольца, причем контурные значения взяты из таблицы 3) разбиваем на клетки ( рис. 9), аналогичные рисунки готовим в достаточном количестве. [8]

Переходы, между 7 / Рв / з. [9]

Как видно иа рис. 89, где представлено возникновение группы линий при комбинировании двух квартетных термов. Очевидно, аналогичные рисунки легко составить для любых других комбинаций термов. Вместо рисунка можно воспользоваться более простой схемой, выписывая термы с одинаковыми J друг под другом и соединяя черточкой те из них, которые могут комбинировать. Так как по правилу отбора ДУ0, 1, то стрелки будут соединять лишь термы, стоящие друг под другом или сдвинутые на одно место. [10]

Следует отметить, что с увеличением расстройки по частоте о-v / 2 частота биений увеличивается ( число пиков увеличивается) и зависимость xf ( Q) сглаживается. В левой окрестности зоны резонанса имеют место аналогичные рисунки. [11]

Причем также штриховые кривые соответствуют полному описанию процессов по выходной кривой х, а сплошные - использованию приближенных разложений процессов на отдельные составляющие, которые осуществлялись так, как это описано в предыдущем параграфе. Лишь для некоторых точек рабочих областей в определенном диапазоне А0 при таком разложении ошибки получаются слишком значительными. Однако, как и для системы третьего порядка, может быть применен прием исправления этих ошибок. Исправленные кривые на рис. 11.50 показаны, как и на других аналогичных рисунках, штрих-пунктирными линиями. [12]

Можно видеть, что медленные ударные волны являются доальфвеновскими, а быстрые - сверхальфвеновскими. Все неэволюционные ударные волны являются транс - альфвеновскими. Вертикальные и горизонтальные полосы на диаграмме эволюцион-ности пронумерованы. Ударная адиабата на рис. 5.3 ( и далее на аналогичных рисунках) приводится схематически. [13]

В качестве разделительного уравнения, выделяющего первые и вторые рабочие подобласти, было использовано соотношение (11.44), применение которого для систем третьего и четвертого порядков уже было обосновано. Одновременно этот анализ, который проводился так же, как и для систем третьего и четвертого порядков, показал, что приближенное разложение процессов на простейшие составляющие с допустимыми ошибками возможно для всех точек рабочих областей. В качестве примера, как выше указывалось, на рис. 11.53 и 11.54 для конкретного сочетания значений коэффициентов Аг и А0 показаны процессы для ряда точек, расположенных внутри и на границе рабочей области. Исправление ошибок для точек рабочих областей, где ошибки весьма значительны, может быть осуществлено по тому же приему, как и для систем третьего и четвертого порядков. Сплошные, штриховые и штрих-пунктирные кривые на рис. 11.53 и 11.54 имеют такой же смысл, как и на предыдущих аналогичных рисунках. [14]

Страницы: 1