Прямая ветвь - диод
Cтраница 1
 |
Полупроводниковый диод. а - структура. б - обозначение. в - ВАХ.| ВАХ диода, включенного в направлении.| Схема замещения диода при обратном включении. [1] |
Прямая ветвь ВАХ диода менее чувствительна к изменению температуры, так как термогенерационная составляющая не оказывает существенного влияния на прямой ток. Однако при изменении температуры прямая ветвь также смещается. Если поддерживать прямой ток / пр неизменным, то падение напряжения уменьшается с ростом температуры по линейному закону. Зависимость прямого тока германиевого диода от температуры может иметь более сложный характер, чем температурная зависимость обратного тока. При малых прямых токах, когда почти все внешнее напряжение приложено к р-п переходу, температурный коэффициент тока положителен. При больших прямых токах основную роль играет сопротивление кристалла диода. Увеличение его температуры за счет разогрева током вызывает уменьшение подвижности электронов и дырок. [2]
 |
Прямая бы стабилизируется. Тогда ВАХ диода с ветвь диода с толстой толстой базой принимает вид. [3] |
На прямой ветви ВАХ диода, построенной в полулогарифмических координатах, могут существовать участки, связанные с различными механизмами образования тока. [4]
Как и по каким причинам изменяется прямая ветвь ВАХ диода с увеличением его температуры. [5]
 |
Принципиальная, схема переключающего диода с управляющим электродом. [6] |
Ток гб, вызывающий снижение напряжения переключения до величины, соответствующей прямой ветви диода ( спрямление характеристики), называют включающим током управляющего электрода / упр, или током управления. [7]
Положительной полуволне напряжения, подводимого к цепи RVDX, соответствует характеристика прямой ветви диода, а отрицательной - обратная. Сопротивление диода VDJ в отрицательный полупериод шунтирует R1, и напряжение на соединении RVDX возрастает. [8]
В прямом направлении теоретическая и реальная характеристики почти совпадают на начальных участках, однако с увеличением тока / рабочий участок прямой ветви диода смещается вправо и становится относительно линейным. Вместе с тем прямое падение напряжения At / np для всех полупроводниковых диодов не превышает 0 5 - 1 5 В, где большие величины относятся к высоковольтным диодам с трехслойной структурой р - г-и-типа. [9]
 |
Зависимость температурного коэфф. напряжения стабилизации от напряжения стабилизации. [10] |
Прямая ветвь кремниевых и германиевых диодов используется для создания стабилитронов на напряжения 0 3 - 1 в. Стабилитроны, изготовленные на основе прямой ветви диода, наз. [11]
 |
Входные статические характеристики транзистора, включенного. [12] |
Общий характер этих зависимостей определяется р-и-перехо-дом эмиттера, включенным в прямом направлении. Поэтому по внешнему виду входные характеристики похожи на прямые ветви ВАХ диода. [13]
Наиболее радиационно-стойким являются диоды на основе p - Ge и несколько хуже арсенид-галлиевые. Кремниевые диоды уступают арсенид-галлиевым и на 1 - 2 порядка хуже германиевых. На рис. 5.3, а приведены прямая ветвь ВАХ кремниевого туннельного диода после облучения нейтронами, а на рис. 15.3 6 - аналогичные изменения прямой ветви ВАХ арсенид-галлиевого диода при р-облучении. [14]
 |
Структура фототиристора. [15] |
Страницы: 1 2