Роль - маска
Cтраница 1
Роль масок возрастает при испытании образцов из хрупких материалов, для которых особенно велико влияние поверхностных дефектов. [1]
Здесь Q выступает в роли маски для операнда, для которого он служит логическим множителем. [2]
 |
Схематическое изображение цветного кинескопа с перфорированной теневой маской. [3] |
Ты очень хорошо понял роль маски и установил исключительные связи между люминофорами каждого цвета и соответствующей пушкой. Учти, что в действительности каждый электронный луч имеет диаметр, значительно больший диаметра отверстия в маске; поэтому он одновременно проходит через несколько соседних отверстий, попадая при этом только на люминофоры одного цвета. [4]
Строка символов в операторе PAINT по существу играет роль маски, управляющей состоянием пикселей. Маской называют последовательность двоичных цифр, каждая из которых определяет, срабатывает или не срабатывает соответствующий бит. Аналогом маски является набор переключателей, задающих режим работы дискового накопителя, памяти принтера или любого другого устройства ПК. [5]
Байт 12, задаваемый непосредственно в команде, играет роль маски. [6]
Пусть в слове F1 хранится некоторый код, а в слове М - код, играющий роль маски: единицы в нем указывают те позиции, которые нужно перенести из кода F1 в слово F2, записав во все остальные биты слова F2 нули. [7]
Пусть в слове F хранится некоторый код, а в слове М - другой, играющий роль маски. Необходимо собрать в правой части кода R вплотную к друг другу все те биты кода F, которые стоят в позициях, указанных единицами маски, а левую часть R дополнить нулями. [8]
Команда ТМ проверки по маске ( Test under Mask) вырабатывает код условия, определяющий соответствие первого операнда - восьмибптового кода в байте с адресом Di ( Bi) и непосредственного операнда i2, играющего роль маски, г-ассмат-риваются только те биты первого операнда, номера которых ( из диапазона 0 - 7) совпадают с номерами тех битов маски, которые имеют единичные значения. [9]
 |
Оптический процессор ахроматической системы Лейта. [10] |
Источник белого света с помощью линзы L0 создает коллимированный пучок. Основной оптический процессор ОП состоит из сферических линз L ] и L2, расположенных друг от друга на расстоянии, равном сумме их фокусных расстояний, сферической линзы L4 и цилиндрической линзы LZ, а также в плоскости Р помещается маска г с определенной функцией. В частности, роль маски г может выполнить цилиндрическая внеосевая зонная пластинка или дифракционная решетка. [11]
 |
Трехрешеточиая ахроматическая система Лейта. [12] |
Но она обладает двумя недостатками: часть оптической системы занимает опорный луч, что приводит к сокращению способности системы к обработке поступающих данных; сокращается независимость траектории опорного луча, в частности, нельзя получить опорный луч под большим углом. Дифракционная решетка ДР формирует два когерентных луча: один используется в качестве предметного, а второй-как опорный. Одновременно дифракционная решетка играет роль маски для предметного пучка. Вторая дифракционная решетка ДР % уменьшает пространственную частоту опорного луча. [13]
Для обычных моделей семейства Электроника характерна одноуровневая система прерываний. Это, в частности, означает, что сигналы, или запросы, прерываний от ВУ поступают в микропроцессор по единственной линии, к которой подключаются все ВУ микрокомпьютера. Этот бит, называемый битом приоритета микропроцессора, может устанавливаться или сбрасываться ( очищаться) программно либо путем полной замены текущего ССП новым ССП, либо заменой младшего байта текущего ССП с помощью команды MTPS. Чтобы ВУ могло вызвать прерывание, необходимо в PC данного внешнего устройства бит 6 программно установить в единицу. Таким образом, бит приоритета в РСП играет роль общей маски прерываний от всех внешних устройств, а с помощью бита 6 в PC внешних устройств можно разрешать или запрещать прерывания от конкретных ВУ. [14]
При изготовлении ИМС с каналами р-типа и кремниевыми затворами, как и в случае обычных МДП ИМС, требуется четыре операции маскирования. Ее окисляют и в окисле вытравливают окна для каждого МОП транзистора. После первой операции маскирования выращивают тонкий слой окисла и всю пластину покрывают слоем поликристаллического кремния. Этот слой маскируют и травят, в результате чего создаются области затворов и первого слоя межсоединений. Затем стравливают слой окисла над будущими областями стоков и истоков. Именно на этом этапе реализуется то преимущество ИМС с кремниевыми затворами, которое называется самосовмещением: роль маски выполняют участки, покрытые поликристаллическим кремнием. Они предохраняют окисел над каналом от травления. [15]
Страницы: 1