Роль - подложка
Cтраница 3
Кроме перечисленных материалов, следует отметить фототермопластические слои, в которых регистрирующей средой является термопластическая пленка, нанесенная на прозрачный полупроводниковый слой. Роль подложки выполняет стеклянная пластинка с нанесенным на нее тонким прозрачным проводящим слоем, например слоем окиси олова. Поверх него нанесены слои фотопроводника и термопластика. [31]
Образование выростов не может связываться только с условиями роста покрытия. Роль подложки в этом процессе не менее существенна. Так, деформирование медной подложки как со стороны нанесения покрытия, так и с противоположной приводит к резкому увеличению количества выростов в области деформации. [32]
Этот катод является двухслойным. Роль подложки играет сплав сурьмы с цезием. Верхним слоем является одноатомный слой цезия. Работа выхода такого катода составляет 1 4 эв. [33]
Важная особенность полимерных покрытий состоит также и в том, что структура и свойства их зависят от природы поверхности: и структуры подложки. Роль подложки в формировании структуры последующих слоев тем больше, чем выше прочность адгезионного взаимодействия. В связи с этим при создании покрытий с определенным комплексом свойств большое значение имеет разработка общих принципов модификации поверхности твердых тел, позволяющих сформировать покрытия с однородной упорядоченной структурой. [34]
Из особенностей нанесения экрана на эффект насыщения влияют характер подложки, толщина слоя и наличие биндера. Роль подложки, как показано выше [253], сводится к устранению заряда экрана и вызванной этим доли эффекта насыщения. По той же причине на тонких нанесенных на стекло экранах насыщение по току наступает заметно раньше, чем на толстых. Влияние связки подчеркнуто Арденне; он наблюдал резкое повышение насыщаемости в люминофорах, нанесенных с метасиликатом калия в качестве биндера. Такой же эффект наблюдается при неумеренном пользовании другими типами связок. [35]
Поскольку стоимость капсулирующего покрытия часто имеет решающее значение, перспективным представляется многослойное капсулирование, когда первый ( грубый) капсу-лирующий слой наносят с использованием дешевых капсулян-тов. Он выполняет роль армирующей подложки, на которую затем наносится тонкая ( 0 5 - 2 % ( об.)) пленка эффективного, хотя часто и дорогого капсулирующего вещества. [36]
Предполагается, что заполнитель играет роль подложки, на которой зародыши развиваются с большими скоростями, чем в объеме. Наибольшая степень упрочнения наблюдается на границе с кварцем. Толщина упрочненных слоев на границе с кварцем составляет примерно 20 мк. Прочность контактного слоя может оказаться различной под частицей крупного заполнителя и над ней. Под частицей заполнителя может образоваться более крупнозернистая структура, имеющая меньшую прочность. [37]
Это объясняется перераспределением потоков диффузанта по поверхности и вглубь подложки. С ростом пористости брикета, выполняющего роль подложки, увеличивается отток диффузанта вглубь подложки, что приводит к уменьшению длины поверхностного слоя. [38]
В системе CdO IWO3 впервые обнаружили и исследовали явление поверхностной реакционной противодиффузии ( ПРПД): поверхностный слой продукта располагается на открытой поверхности каждого из реагентов. Таким образом, оба реагента играют роль подложки и роль диффузанта одновременно. [39]
На примере системы CdO I Mo03 показано, что при близости поверхностных энергий исходных реагентов имеет место поверхностная реакционная противодиффузии ( ПРПД): поверхностный слой продукта располагается на открытой поверхности каждого из реагентов. Таким образом, оба реагента играют роль подложки и роль диффузанта одновременно. [40]
Таким образом, в системе фильтровальный материал - слой пыли последний является основной фильтрующей средой. Однако фильтровальный материал не только выполняет роль подложки. [41]
Носителем каталитической активности является атомная ( докристаллическая) фаза катализатора. Кристаллическая фаза или поверхность носителя выполняет роль инертной подложки. [42]
Можно было бы думать, что это связано с влиянием остаточного аус-тенита. При отпуске ниже 400 С он сохраняется и при быстром нагреве играет роль подложки, на которой зарождаются новые зерна у-фазы, воспроизводя исходную ориентировку. Повышение температуры отпуска, вызывая распад остаточного аустенита, устраняет этот фактор, что приводит к неориентированному a - - у-превращению и измельчению зерна. [43]
Можно было бы думать, что это связано с влиянием остаточного аус-тенита. При отпуске ниже 400 С он сохраняется и при быстром нагреве играет роль подложки, на которой зарождаются новые зерна у-фазы, воспроизводя исходную ориентировку. Повышение температуры отпуска, вызывая распад остаточного аустенита, устраняет этот фактор, что приводит к неориентированному а - 7-превращению и измельчению зерна. [44]
 |
Схема установки для эпитаксиального выращивания слоев германия и кремния. [45] |
Страницы: 1 2 3 4