Роль - шунт
Cтраница 2
Для измерения больших токов удобнее параллельная схема рис. 63, г. В ней в каждый полупериод одно из сопротивлений г играет роль шунта к выпрямителю. [16]
 |
Осциллограммы напряжений и.| Схемы двух-полупериодного выпрямления. [17] |
Схему рис. 6.116 удобно применять при измерении больших токов, так как в ней в каждый полупериод одно из сопротивлений г выполняет роль шунта. [18]
 |
Схемы соединения измерительного механизма с полупроводниковыми выпрямителями при измерении тока.| Схемы двухполупериодного выпрямления. [19] |
Схему рис. 5.18, б надо применять при измерении больших токов, так как в ней каждый полупериод одно из сопротивлений г выполняет роль шунта. [20]
 |
Цепь трехпредель-ного амперметра с шунтами. [21] |
Рассматривая включение прибора между точками и / 2, и / s, можно видеть, что сначала r2 - f - г, а потом только г3 играют роль шунта, в то время как последовательно соединенное г, а потом rt г. 2 играют роль добавочного сопротивления к га. [22]
 |
Первичный преобразователь кондукто-метрического уровнемера.| Первичный преобразователь емкостного уровнемера. [23] |
Первичный преобразователь индуктивных уровнемеров представляет собой катушку индуктивности. Проводящая жидкость при этом играет либо роль шунта, изменяющего число витков катушки, либо роль экрана, влияющего на коэффициент самоиндукции катушки. [24]
 |
Различные конструкции магниторезисторов. [25] |
Каждая часть пластины полупроводника между двумя металлическими полосами представляет собой отдельный магниторезис-тор. Можно также считать, что металлические полосы выполняют роль шунтов, уменьшающих ЭДС Холла, возникающую на боковых гранях пластины полупроводника. [26]
 |
Различные конструкции магниторезисторов. а - магниторезистор в виде диска Корбино, б - магниторезистор, изготовленный из пластинки полупроводника с малой длиной, в. [27] |
Каждая часть пластины полупроводника между двумя металлическими полосами представляет собой отдельный магниторезистор. Можно также считать, что металлические полосы выполняют роль шунтов, уменьшающих ЭДС Холла, возникающую на боковых гранях пластины полупроводника. [28]
 |
Зависимость относительной ширины зоны искажения от относительного шага электродов.| Геометрическое сопротивление зоны искажения. [29] |
Однако при этом следует иметь в виду, что электрод играет роль шунта на границе, уравнивая потенциалы граничных точек, находящихся в зоне его действия. [30]
Страницы: 1 2 3 4