Малое значение - индекс
Cтраница 1
 |
Типичные формы призматических кристаллов в проекции на двумерную прямоугольную решетку. [1] |
Малые значения индексов означают, что эквивалентная плоскость решетки обладает высокой плотностью узлов решетки на единицу площади, что равнозначно высокой плотности молекул-ровная поверхность, на которой каждая молекула окружена и удерживается близко расположенными соседними молекулами и, таким образом, не легко поддается воздействию внешних сил. [2]
 |
Типичные формы призматических кристаллов в проекции на двумерную прямоугольную решетку. [3] |
Малые значения индексов означают, что эквивалентная плоскость решетки обладает высокой плотностью узлов решетки-па единицу площади, что равнозначно высокой плотности молекул - ровная поверхность, на которой каждая молекула окружена и удерживается близко расположенными соседними молекулами и, таким образом, не легко поддается воздействию внешних сил. [4]
 |
Спектры частотно-модулированного сигнала при различных индексах модуляции. [5] |
При малых значениях индекса модуляции т 1 угловую модуляцию называют узкополосной, так как спектр ЧМ - или ФМ-сигнала содержит одну пару боковых частот ( рис. 13.28, б), так же как и спектр АМ-сигнала. [6]
 |
Спектры частотно-модулированного сигнала при различных индексах модуляции. [7] |
При малых значениях индекса модуляции т / 1 угловую модуляцию называют узкополосной, так как спектр ЧМ - или ФМ-сигнала содержит одну пару боковых частот ( рис. 13.28, б), так же как и спектр АМ-сигнала. [8]
При малых значениях индекса модуляции ш 1 угловую модуляцию называют узкополосной, так как спектр ЧМ - или ФМ-сигнала содержит одну пару боковых частот ( рис. 13.19, б), так же как и спектр АМ-сигнала. [9]
При малых значениях индекса модуляции М амплитуды боковых колебаний убывают быстро и ширина спектра практически получается равной 2 Р № ЯКС как и при AM. При увеличении индекса модуляции спектр частот, занимаемых ЧМ передатчиком, значительно расширяется. [10]
У изделий из полиэтилена низкой плотности с малым значением индекса расплава наблюдается чередование матовых и блестящих участков, обычно расположенных на определенных расстояниях от впуска и распределенных по всему изделию. Наиболее часто подобные дефекты встречаются на изделиях с тонкими стенками. Это, вероятно, связано с тем, что во время заполнения полости тонкого сечения расплав подвергается значительному давлению еще до окончательного заполнения полости формы. Уменьшение скорости образования оболочки является наилучшим методом устранения этой группы дефектов. Снижение скорости образования оболочки достигается путем повышения температуры формы на всей поверхности или в месте появления дефектов. Местный нагрев поверхности формы осуществляют с помощью маленьких трубчатых электронагревателей, устанавливаемых вблизи оформляющей поверхности формы в месте образования дефектов, например в месте впуска литникового канала. [11]
Следовательно, для того чтобы осуществить передачу электромагнитной энергии при заданной частоте источника по волноводу с наименьшими поперечными размерами, необходимо в последнем возбудить волну с малыми значениями индексов тип, ибо в случае волн высшего типа для выполнения неравенства f / Kp необходимо иметь большие размеры поперечного сечения волновода. Совершенно ясно, что наименьшую критическую частоту ( самую большую критическую длину волны) имеет волна ТЕ. Вследствие этого волна ТЕ10 находит наибольшее практическое применение в волноводной технике. [12]
Амплитуды колебаний боковых частот по мере увеличения частоты довольно быстро убывают, причем скорость убывания зависит от индекса модуляции. При малых значениях индекса модуляции М амплитуды колебаний боковых частот убывают быстро, и ширина спектра практически получается равной 2 / гшах, как и при AM. При увеличении индекса модуляции спектр частот значительно расширяется. [13]
При литье полиамидов, имеющих малую вязкость расплавов при температурах литья, заполнение форм с тонкими полостями не встречает больших затруднений. Значительно большей чувствительностью к сдвигу обладают расплавы таких термопла-стов как поливинилхлорид, полипропилен, полиэтилен низкой и высокой плотности. Причем у полиэтилена и полипрЪпилена с увеличением молекулярного веса ( малые значения индекса расплава) растет показатель чувствительности к сдвигу. [14]
Кристаллиты поликристаллических пленок, осажденных при повышенной температуре подложки, часто имеют предпочтительную ориентацию, так что один набор кристаллографических плоскостей ( и, v, w параллелен плоскости пленки во всех кристаллитах. Такую структуру называют волокнистой текстурой. Нормаль ( и, v, w к предпочтительным плоскостям является осью волокнистой текстуры. Часто - это направление с малыми значениями индексов. Хорошо известным примером является текстура, ориентированная в плоскости ( 111) гране-центриро-ванных кубических пленок. [15]
Страницы: 1