Роль - дефект
Cтраница 2
Вопрос о существовании и роли дефектов по Шоттки в смешанных кристаллах AgBr - j - Ag2S еще не решен окончательно. Зейтц [9] считает, что энергетические соображения заставляют принять преобладание дефектов по Френкелю, однако дефектам по Шоттки он придает также важную роль в процессе фотолиза. [16]
Следует упомянуть и о роли дефектов упаковки. [17]
Рассмотрим на конкретном примере роль дефектов нестехиометрии в твердофазных процессах. [18]
В III-2 было указано о роли дефектов в металле при его взаимодействии со средой; развитие этих дефектов при механической обработке должно способствовать влиянию среды на механические свойства металла и, наоборот, устранение дефектов - препятствовать этому влиянию. В коррозионных средах особое значение приобретают неравномерно распределенные остаточные напряжения, вызываемые механической обработкой, следствием которых является появление на поверхности, соприкасающейся со средой, градиентов напряжения Хорошо известно влияние градиентов напряжения на коррозионную статическую усталость стали. Остаточные напряжения растяжения, вызванные механической обработкой, являются причиной коррозионного растрескивания и, наоборот, появление остаточных напряжений сжатия ликвидирует его. Шероховатость поверхности и наклеп приповерхностного слоя в этих случаях, очевидно, играют меньшую роль, хотя известно, что с увеличением шероховатости возрастают. [19]
Митчелл [3], впервые указавший на роль дефектов по Шоттки в фотографическом процессе, считает, что агрегат выше определенного критического размера ( возможно, два или три вакантных анионных узла с сопровождающими их электронами) способен захватить еще один вакантный анионный узел и, следовательно, должен обладать положительным зарядом. [20]
Тщательный анализ результатов исследования позволяет также оценить роль дефектов, различным образом ориентированных по отношению к направлению действующих напряжений, и условия прочности при различных типах нагружения. [21]
Сделанный в § 4 - 1 вывод о роли дефектов кристаллической решетки в процессе электрического старения и регенерации неорганических диэлектриков является лишь первым шагом на пути выяснения механизма этих явлений. В дальнейшем необходимо разобраться, каким путем возникают эти дефекты при старении и исчезают при регенерации свойств кристаллов и керамики. [22]
Иоффе по изучению механической прочности, по выяснению роли дефектов, по применению рентгеновских лучей для исследования кинетики процессов разрушения и деформации, его исследования по электрическим свойствам кристаллов, по механизму ионной проводимости, интенсивно развивавшиеся в 20 - х годах как в экспериментальном, так и теоретическом плане, послужили фундаментом наших знаний о реальных твердых телах. [23]
В работе [7] рассмотрено явление разрушения металлов именно с учетом роли дефектов кристаллического строения типа вакансий. [24]
 |
Дислокация в кристаллической решетке. 3 - 3 линейная ( краевая дислокация. [25] |
Успехи учения о прочности и пластичности материалов связаны с развитием представлений о роли дефектов структуры при пластической деформации и разрушении кристаллических твердых тел. [26]
В том случае, когда решетка применяется в установке со скользящим падением, возрастает роль дефектов поверхности сферы, на которой нарезана решетка, и все аберрации быстро рас - а) - тут с приближением угла падения к 90, что существенно ухудшает условия изучения спектров. [27]
Адсорбируясь на гранях частиц платины, такие атомы ( пары, тройки, атомов) играют роль биографических дефектов решетки. Одинаковые удельные свойства всех типов изученных образцов трудно совместить с секстетной моделью активных центров. [28]
Кроме того, отражены и такие существенные разделы, как, например, геометрическая кристаллография, процессы роста кристаллов, роль дефектов, магнитный резонанс. [29]
По-видимому, при полной интерпретации каталитической активности этих окислов следует учитывать не только электронные конфигурации ионов, но также и роль дефектов, в том числе тех, которые вызывают полупроводимость; важность последних дефектов уже была продемонстрирована для случаев окиси цинка и окиси хрома. [30]
Страницы: 1 2 3 4