Рост - зародыш - кристаллизация
Cтраница 1
 |
Схема роста грани кристалла при образовании двухмерного зародыша ( о и вокруг вшнояон дислокации ( и. [1] |
Рост зародышей кристаллизации происходит в результате перехода атомов из переохлажденной жидкости к кристаллам. Кристалл растет послойно, при этом каждый слой имеет одноатомную толщину. Различают два элементарных процесса роста кристаллов. [2]
Рост зародышей кристаллизации связан с концентрационным переохлаждением. Оно развивается только в сплавах или в сильно загрязненных металлах. Расплав кристаллизуется в некотором интервале температур, а легирующие элементы или примеси снижают температуру ликвидуса а. Этот эффект повышается с увеличением скорости кристаллизации. В соответствии с объемным распределением градиентов температур и скоростей кристаллизации в сварном шве непрерывно возрастает концентрационное переохлаждение от границы сплавления к середине шва. [3]
 |
Схема роста кристаллов. [4] |
Рост зародышей кристаллизации происходит в результате перехода атомов из переохлажденной жидкости к кристаллам. Кристалл растет послойно, при этом каждый слой имеет одноатомную толщину. Различают два элементарных процесса роста кристаллов. [5]
Рост зародышей кристаллизации происходит в результате перехода атомов из переохлажденной жидкости к кристаллам. Кристалл растет послойно, при этом каждый слой имеет одноатомную толщину, Различают два элементарных процесса роста кристаллов. [6]
Анализ элементарных актов образования и роста зародышей кристаллизации требует, в первую очередь, теоретического рассмотрения, так как непосредственное экспериментальное наблюдение этих процессов с помощью современных средств невозможно или чрезвычайно затруднено. [7]
 |
Основные структурные и физи. [8] |
Скорость кристаллизации зависит от скорости образования роста зародышей кристаллизации, которая определяется интенсивностью теплового движения. В результате теплового движения, с одной стороны, нарушается расположение молекул, с другой - облегчается переход от ближнего порядка к дальнему. Поэтому существует оптимальная интенсивность теплового движения, которая находится ниже температуры плавления полимера, обеспечивающая максимальную скорость кристаллизации. При охлаждении полимера ниже оптимальной температуры скорость кристаллизации резко уменьшается и при некоторой температуре ( температура стеклования) становится равной нулю. Практически ниже температуры стеклования нельзя получить полимер в кристаллическом состоянии. [9]
Рассмотрим вторую стадию образования коллоидной системы - рост зародышей кристаллизации в результате отложения на них вещества из пересыщенного раствора. Для объяснения роста кристаллов в разное врем-я было предложено много теорий. [10]
Рассмотрим вторую стадию образования коллоидной системы - рост зародышей кристаллизации в результате отложения на них вещества из пересыщенного раствора. Для объяснения роста кри - йталлрв в разное время было предложено много террий. [11]
Согласно общей теории кристаллизации процесс затвердевания определяется двумя факторами: скоростью возникновения центров ( зародышей) кристаллизации в единице объема жидкой фазы и скоростью роста зародышей кристаллизации. [12]
При высоких напряжениях сдвига могут расти ламели без складывания цепей, а при низких напряжениях сдвига или в отсутствие напря / хений растут ламели со складчатой структурой как и в случае роста обычных зародышей кристаллизации. [13]
В реальных вяжущих системах процесс образования зародышей кристаллизации происходит на границах раздела фаз ( поверхности исходных минералов, гидратов), поэтому значения удельной межфазной энергии уменьшаются, а скорость образования и рост зародышей кристаллизации возрастает. Уменьшение удельной межфазной энергии максимально, если поверхность границ фаз велика и энергетически ненасыщена, а создающий эти границы материал по своим кристаллохимическим характеристикам изоморфен выделяющейся фазе. В предельном случае, когда а0, образование трехмерного зародыша новой фазы практически исключается, так как энергетически более выгодным становится рост кристаллов путем присоединения к готовым центрам кристаллизации плоских двухмерных зародышей, приводящий к срастанию отдельных кристаллов в прочный кристаллический сросток. [14]
 |
Зависимость скорости линейного роста сферолитов полипропилена У от толщины пленки х на поверхности NaCl. [15] |
Страницы: 1 2